| 第一章 绪论 | 第1-17页 |
| §1-1 引言 | 第8-10页 |
| §1-2 压力传感器的基本工作原理 | 第10-14页 |
| 1-2-1 压阻效应简介 | 第10页 |
| 1-2-2 压阻效应原理 | 第10-11页 |
| 1-2-3 压阻效应关系式的推导 | 第11-12页 |
| 1-2-4 单晶硅材料的压阻系数 | 第12-13页 |
| 1-2-5 压阻全桥原理 | 第13-14页 |
| §1-3 压力传感器的重要技术指标 | 第14-16页 |
| 1-3-1 静态特性 | 第14-15页 |
| 1-3-2 温度特性 | 第15-16页 |
| §1-4 论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 SOI材料的研究 | 第17-24页 |
| §2-1 SOI材料的结构和特性 | 第17-18页 |
| §2-2 SOI材料的制备 | 第18-21页 |
| 2-2-1 氧离子注入隔离技术(SIMOX) | 第18-19页 |
| 2-2-2 硅片直接键合与背面腐蚀(BESOI) | 第19-21页 |
| §2-3 直接键合SOI材料的分析 | 第21-23页 |
| §2-4 小结 | 第23-24页 |
| 第三章 有限元分析 | 第24-33页 |
| §3-1 有限元法分析的基本步骤 | 第24-26页 |
| 3-1-1 弹性力学平面问题的基本方程 | 第24-25页 |
| 3-1-2 有限元法解题的步骤 | 第25-26页 |
| 3-1-3 本论文所用三维实体元素 | 第26页 |
| §3-2 压力传感器芯片表面应力的有限元分析 | 第26-32页 |
| 3-2-1 C型膜的模拟 | 第27-29页 |
| 3-2-2 E型膜和双岛型膜的模拟 | 第29-32页 |
| §3-3 小结 | 第32-33页 |
| 第四章 SOI高温压力传感器工艺的研究 | 第33-45页 |
| §4-1 硼扩散工艺 | 第34-35页 |
| 4-1-1 硼扩散原理 | 第34页 |
| 4-1-2 硼扩散工艺及分析 | 第34-35页 |
| 4-1-3 硼扩散工艺相关计算 | 第35页 |
| §4-2 热分解淀积二氧化硅 | 第35-36页 |
| §4-3 光刻 | 第36-39页 |
| §4-4 各向异性腐蚀硅杯 | 第39-41页 |
| 4-4-1 硅各向异性基本原理 | 第40页 |
| 4-4-2 硅各向异性 | 第40-41页 |
| 4-4-3 腐蚀工艺 | 第41页 |
| §4-5 硅-玻璃静电键合 | 第41-44页 |
| 4-5-1 静电键合装置 | 第42页 |
| 4-5-2 静电键合机理 | 第42-44页 |
| §4-6 小结 | 第44-45页 |
| 第五章 SOI高温压力传感器的测试与分析 | 第45-52页 |
| §5-1 测试系统简介和测试方案 | 第45-46页 |
| 5-1-1 测试系统 | 第45-46页 |
| 5-1-2 压力传感器的测试方案 | 第46页 |
| §5-2 压力传感器测试结果的分析 | 第46-51页 |
| 5-2-1 计算机模拟与测试结果的分析 | 第46-49页 |
| 5-2-2 SOI压力传感器和多晶硅压力传感器输出特性的比较 | 第49页 |
| 5-2-3 灵敏度与灵敏度温漂 | 第49-50页 |
| 5-2-4 零点温漂 | 第50-51页 |
| §5-3 小结 | 第51-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第60页 |