| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 1 绪论 | 第12-17页 |
| 2 三氧化钨薄膜及其智能窗 | 第17-27页 |
| 2．1 三氧化钨薄膜的制作 | 第17-20页 |
| 2．1．1 三氧化钨靶材的制备 | 第17-18页 |
| 2．1．2 制造薄膜工艺的探索 | 第18-20页 |
| 2．2 氧化钨薄膜的结构分析 | 第20-22页 |
| 2．2．1 X 射线光电子能谱(XPS) | 第20页 |
| 2．2．2 氧化钨薄膜的形貌 | 第20-21页 |
| 2．2．3 X 射线衍射 | 第21-22页 |
| 2．3 氧化薄膜的电特性 | 第22-24页 |
| 2．3．1 循环伏安特性 | 第22-24页 |
| 2．3．2 响应特性,存储特性及变色寿命 | 第24页 |
| 2．4 氧化钨薄膜构成的智能窗 | 第24-26页 |
| 2．4．1 智能窗的构成 | 第24-25页 |
| 2．4．2 智能窗的光学特性 | 第25-26页 |
| 2．5 结论 | 第26-27页 |
| 3 使用LB 系列电解液的智能窗 | 第27-35页 |
| 3．1 实验方法 | 第27页 |
| 3．2 电解液的特性 | 第27-30页 |
| 3．2．1 电解液的导电性 | 第28页 |
| 3．2．2 红外光谱和核磁共振图谱 | 第28-30页 |
| 3．3 薄膜在电解液中的电特性 | 第30-32页 |
| 3．3．1 响应特性 | 第30-31页 |
| 3．3．2 循环伏安特性 | 第31-32页 |
| 3．4 使用 LB 系列电解液的智能窗光学特性 | 第32-33页 |
| 3．5 结论 | 第33-35页 |
| 4 氧化钨薄膜的电致变色机理 | 第35-52页 |
| 4．1 晶体场—配体场理论 | 第37-48页 |
| 4．1．1 d 轨道在静电场(晶体场)中的分裂和修正的晶体场理论 | 第38-48页 |
| 4．1．1．1 正八面体场 | 第38-41页 |
| 4．1．1．2 拉长或压缩的八面体场 | 第41页 |
| 4．1．1．3 高自旋和低自旋的八面体络合物 | 第41-42页 |
| 4．1．1．4 修正的晶体场理论 | 第42-43页 |
| 4．1．1．5 过渡金属络合物的电子光谱(d-d 跃迁) | 第43-48页 |
| 4．2 氧化钨薄膜的吸收原理 | 第48-52页 |
| 4．2．1 氧化钨薄膜的结构 | 第48-50页 |
| 4．2．2 氧化钨薄膜变色的吸收模式 | 第50-52页 |
| 5 带有氧化钨薄膜层的ITO 平面电极的阻抗特性 | 第52-61页 |
| 5．1 实验 | 第52-53页 |
| 5．2 ITO 平面电极在1M LiClO_4 丙烯碳酸酯电解液中的阻抗谱 | 第53-57页 |
| 5．2．1 具有WO_3 薄膜覆盖层的ITO 平面电极在1M LiClO_4 丙烯碳酸酯电解液中浸泡中、晚期的阻抗谱 | 第54-57页 |
| 5．3 带有WO_3 涂层的ITO 电极在LB 系列电解液中的阻抗谱 | 第57-60页 |
| 5．4 结论 | 第60-61页 |
| 6 氧化钨钛薄膜与智能窗 | 第61-69页 |
| 6．1 掺有二氧化钛的三氧化钨薄膜的制作 | 第61-62页 |
| 6．1．1 掺入二氧化钛的三氧化钨靶材制备 | 第61页 |
| 6．1．2 氧化钨钛薄膜的制备 | 第61-62页 |
| 6．2 氧化钛-氧化钨混合薄膜的结构分析 | 第62-64页 |
| 6．2．1 氧化钛-氧化钨混合薄膜的形貌 | 第62-63页 |
| 6．2．2 X 射线衍射(XRD) | 第63-64页 |
| 6．3 薄膜的循环伏安特性 | 第64-65页 |
| 6．4 0．98WO_3-0．02TiO_2 氧化钨薄膜所级成的智能窗的光学特性 | 第65-66页 |
| 6．5 薄膜的阻抗特性 | 第66-68页 |
| 6．6 结论 | 第68-69页 |
| 7 结论 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 博士期间发表的论文 | 第79页 |
