| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1．1 硅纳米线概述 | 第11页 |
| 1．2 硅纳米线的制备 | 第11-14页 |
| 1．3 硅纳米线物理特性 | 第14-16页 |
| 1．4 硅纳米材料应用的前期处理 | 第16-18页 |
| 1．5 硅纳米线纳米电子器件中的应用 | 第18-21页 |
| 1．6 硅纳米管研究概况 | 第21-24页 |
| 1．7 硅纳米材料的表征 | 第24-26页 |
| 1．8 课题研究的意义、目的及主要内容 | 第26-28页 |
| 第二章 硅纳米管、硅纳米线的水热法制备 | 第28-43页 |
| 2．1 引言 | 第28-29页 |
| 2．2 水热结晶概述 | 第29-31页 |
| 2．3 水热法制备自组生长硅纳米管、硅纳米线 | 第31-38页 |
| 2．3．1 实验所用设备 | 第31-32页 |
| 2．3．2 实验原料 | 第32页 |
| 2．3．3 检测设备 | 第32页 |
| 2．3．4 实验部分 | 第32-33页 |
| 2．3．5 实验结果 | 第33-38页 |
| 2．4 硅纳米管的HF处理 | 第38-39页 |
| 2．5 反应釜内温度压力典型控制过程 | 第39-41页 |
| 2．5．1 硅纳米管的温度控制过程 | 第39-40页 |
| 2．5．2 硅纳米线的温度控制过程 | 第40-41页 |
| 2．6 总结与讨论 | 第41-43页 |
| 第三章 其它硅源为反应物的水热条件实验 | 第43-59页 |
| 3．1 前言 | 第43页 |
| 3．2 实验设备 | 第43-44页 |
| 3．3 实验原料 | 第44页 |
| 3．4 检测设备 | 第44页 |
| 3．5 以SiO_2 和硅粉为硅源去离子水为反应介质 | 第44-46页 |
| 3．6 硅粉为硅源去离子水为反应介质 | 第46-49页 |
| 3．7 SiC 为起始原料去离子水为反应介质 | 第49-50页 |
| 3．8 SiC 及SiO_2 混合粉末为硅源去离子水为反应介质 | 第50-54页 |
| 3．9 SiC 及SiO 混合粉末为硅源去离子水为反应介质 | 第54-55页 |
| 3．10 总结与讨论 | 第55-59页 |
| 第四章 一维硅纳米材料生长机理的研究 | 第59-71页 |
| 4．1 传统工艺制备一维硅纳米材料的生长机理研究 | 第59-64页 |
| 4．1．1 硅纳米线的VLS 生长机理 | 第59-60页 |
| 4．1．2 硅纳米线氧化物辅助生长机理 | 第60-62页 |
| 4．1．3 硅纳米线固-液-固(SLS)生长机理 | 第62-63页 |
| 4．1．4 模板法硅纳米管的生长机理 | 第63-64页 |
| 4．2 水热法制备一维硅纳米材料的生长机理研究 | 第64-69页 |
| 4．2．1 水热条件下硅纳米管的生长机理 | 第64-66页 |
| 4．2．2 水热条件下硅纳米线的生长机理 | 第66-67页 |
| 4．2．3 水热条件下碳化硅纳米管生长机理 | 第67-69页 |
| 4．3 水热条件下一维硅纳米材料生长热力学 | 第69-71页 |
| 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 附录(攻读硕士期间发表论文目录及专利) | 第81-82页 |
