| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1．1 引言 | 第8-9页 |
| 1．2 准晶的研究进展 | 第9-11页 |
| 1．3 负折射率媒质的研究现况 | 第11-14页 |
| 1．4 本文研究工作与目的 | 第14-15页 |
| 第二章 相关基本理论 | 第15-26页 |
| 2．1 高维空间投影法 | 第15-16页 |
| 2．2 一维FC(n)序列的构造 | 第16-18页 |
| 2．3 负折射率媒质的性质 | 第18-21页 |
| 2．3．1 电场、磁场、波矢的关系 | 第18页 |
| 2．3．2 光的折射方向 | 第18-20页 |
| 2．3．3 其他性质 | 第20-21页 |
| 2．4 转移矩阵理论 | 第21-26页 |
| 2．4．1 转移矩阵的建立 | 第21-23页 |
| 2．4．2 转移矩阵的基本性质 | 第23-26页 |
| 第三章 存在负射率媒质的一维Fibonacci的透射系数 | 第26-43页 |
| 3．1 理论推导 | 第26-33页 |
| 3．1．1 光在A、B界面的转移矩阵 | 第26-28页 |
| 3．1．2 光在A层媒质内的转移矩阵 | 第28-29页 |
| 3．1．3 光在B层媒质中的传播矩阵 | 第29页 |
| 3．1．4 光在多层媒质中的传播矩阵 | 第29-31页 |
| 3．1．5 光在一维FIBONACCI中的透射系数 | 第31-33页 |
| 3．2 数值分析与讨论 | 第33-36页 |
| 3．3 不同折射率情形下的比较 | 第36-37页 |
| 3．4 不同入射角情形下的比较 | 第37-42页 |
| 3．4．1 S偏振情形 | 第37-40页 |
| 3．4．2 P偏振情形 | 第40-42页 |
| 3．5 小结 | 第42-43页 |
| 第四章 引入缺陷情形下的一维Fibonacci的透射系数 | 第43-55页 |
| 4．1 理论推导 | 第43-44页 |
| 4．2 单层引入缺陷情形 | 第44-46页 |
| 4．3 多层引入缺陷情形 | 第46-48页 |
| 4．4 不同光学厚度缺陷情形 | 第48-50页 |
| 4．5 引入吸收缺陷媒质情形 | 第50-54页 |
| 4．6 小结 | 第54-55页 |
| 第五章 存在负射率媒质的一维Fibonacci超晶格的成像 | 第55-72页 |
| 5．1 S偏振情形下的成像规律 | 第55-60页 |
| 5．1．1 理论推导 | 第55-58页 |
| 5．1．2 模拟结果与分析 | 第58-60页 |
| 5．2 P偏阵情形下的成像规律比较 | 第60-62页 |
| 5．2．1 理论推导 | 第60-61页 |
| 5．2．2 模拟结果与分析 | 第61-62页 |
| 5．3 损耗对成像的影响 | 第62-69页 |
| 5．3．1 磁导率以及介电常数实部变化对成像的影响 | 第62-66页 |
| 5．3．2 磁导率以及介电常数虚部变化对成像的影响 | 第66-69页 |
| 5．4 FIBONACCI多层膜与周期多层膜的比较与分析 | 第69-70页 |
| 5．4 小结 | 第70-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 攻读硕士期间的主要研究成果 | 第81页 |
