| 第一章 GaN材料与器件研究概况 | 第1-18页 |
| 1．1 引言 | 第8-9页 |
| 1．2 GaN半导体材料 | 第9-11页 |
| 1．3 GaN器件及其应用 | 第11-14页 |
| 1．4 目前国内外对GaN器件和材料的辐照效应研究情况 | 第14-15页 |
| 1．5 本论文的工作和安排 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 半导体辐照效应和半导体光电二极管 | 第18-27页 |
| 2．1 辐射对半导体材料与器件的影响 | 第18-19页 |
| 2．1．1 位移损伤及其对宏观电参数的影响 | 第18-19页 |
| 2．1．2 缺陷退火 | 第19页 |
| 2．1．3 半导体器件的辐照损伤 | 第19页 |
| 2．2 半导体的光吸收 | 第19-23页 |
| 2．3 半导体光敏二极管 | 第23-26页 |
| 2．3．1 光敏二极管分类 | 第24-25页 |
| 2．3．2 光敏二极管电流—电压特性 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章 GaN肖特基紫外探测器电子辐照效应和结构分析 | 第27-37页 |
| 3．1 GaN肖特基紫外探测器电子辐照后的失效现象 | 第27-28页 |
| 3．2 GaN紫外探测器结构 | 第28-36页 |
| 3．2．1 样品参数 | 第28-29页 |
| 3．2．2 扫描电镜(SEM)对样品表面成分的分析 | 第29-31页 |
| 3．2．3 X射线光电子能谱(XPS) | 第31-35页 |
| 3．2．4 原子力显微镜(FAM)对表面结构的分析 | 第35-36页 |
| 小结 | 第36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第四章 GaN肖特基二极管电子辐照效应及分析 | 第37-46页 |
| 4．1 样品结构及实验方法 | 第37-39页 |
| 4．2 电子辐照对肖特基二极管I-V特性的影响 | 第39-41页 |
| 4．3 电子辐照对肖特基势垒探测器光敏性的影响 | 第41-44页 |
| 4．3．1 254nm和380nm紫外光照射样品时的I-V特性 | 第41-43页 |
| 4．3．2 可见光照射样品时的I-V特性 | 第43-44页 |
| 小结 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 总结 | 第46-47页 |
| 科研成果 | 第47-48页 |
| 简介申明 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
