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改性碳纳米管及其场发射性能研究

摘要第1-4页
Abstract第4-10页
第一章 绪论第10-33页
   ·纳米材料与碳纳米管第10-12页
     ·纳米材料第10页
     ·碳纳米管第10-12页
   ·场发射平板显示器第12-16页
     ·未来的平板显示器第12-13页
     ·场发射显示器第13-16页
   ·碳纳米管在场发射方面的应用第16-21页
     ·碳纳米管场发射显示器第16-18页
     ·微波放大器第18-20页
     ·其他应用第20-21页
   ·碳纳米管场发射机理第21-27页
     ·场发射能量分布第21-24页
     ·逸出功第24页
     ·场发射机理第24-26页
     ·碳纳米管发射的衰减第26页
     ·关于场发射机理的展望第26-27页
   ·本论文的工作第27页
 参考文献第27-33页
第二章 实验设备的建立、碳纳米管的制备和表征第33-52页
   ·多功能超高真空系统第33-35页
     ·系统结构第33-35页
     ·主要技术指标第35页
   ·碳纳米管阴极的制备第35-40页
     ·丝网印刷场发射阴极的制备第36-37页
     ·低频等离子体增强化学汽相沉积第37-39页
     ·高频等离子体增强化学汽相沉积第39-40页
   ·特殊形态碳纳米管的生长第40-47页
     ·在纳米管上生长纳米管--Y-junction?第41-42页
     ·带刺的碳纳米管第42-47页
   ·场发射性能测试第47-48页
   ·成分和结构表征第48-50页
     ·碳纳米管的表面形貌第48页
     ·碳纳米管的微结构第48-49页
     ·碳纳米管的相成分第49-50页
   ·本章小结第50页
 参考文献第50-52页
第三章 丝网印刷碳纳米管膜场发射性能的改性研究第52-67页
   ·等离子体处理的碳纳米管膜的发射性能第52-56页
     ·氨等离子体处理第53-54页
     ·氮、氢等离子体处理第54-56页
   ·等离子体处理的碳纳米管的结构表征第56-61页
     ·微结构及其形成机理第56-59页
     ·红外谱测试第59-60页
     ·Raman光谱表征第60-61页
   ·等离子体处理改善发射性能的机理第61-63页
     ·瘤状碳纳米管在场发射中的作用第61-62页
     ·发射机制随处理时间的变化第62-63页
   ·本章小结第63-64页
 参考文献第64-67页
第四章 PECVD碳纳米管的改性及其场发射性能第67-87页
   ·表面涂铪改善碳纳米管发射性能第67-72页
     ·提高发射性能的一些方法第67-68页
     ·铪膜涂层及退火对碳纳米管膜发射性能的影响第68-70页
     ·HfC在提高碳纳米管发射性能上的作用第70-72页
   ·衬底-碳纳米管接触在场发射过程中的作用第72-79页
     ·碳纳米管发射的两个过程--双势垒模型第72-73页
     ·不同衬底上生长的碳纳米管的发射性能第73-76页
     ·衬底-碳纳米管接触在场发射过程中的作用第76-79页
   ·F-N曲线的弯折第79-83页
     ·目前关于F-N曲线弯折的解释第79-81页
     ·衬底-碳纳米管结隧穿机制的变化第81-83页
   ·本章小结第83-84页
 参考文献第84-87页
第五章 CNT-FED器件设计与制作第87-110页
   ·器件制作一般工艺第87-90页
     ·阴极制作第87-88页
     ·阳极制作第88页
     ·支撑结构第88页
     ·封装第88-89页
     ·真空度的维持第89-90页
   ·二极管结构CNT-FED的制作第90-91页
     ·大面积均匀发射阴极第90页
     ·字符显示器件第90-91页
     ·彩色CNT-FED第91页
   ·三极管结构CNT-FED的制作第91-95页
     ·独立栅及其弹性支撑方案第92-93页
     ·阴极、栅极引线和阳极第93-95页
     ·3×3矩阵选址FED样管第95页
   ·晶体管控制CNT-FED第95-108页
     ·真空微电子与半导体微电子第96-97页
     ·CNT-FED发射稳定性和可控性问题第97-101页
     ·器件结构设计第101-103页
     ·器件制作第103-105页
     ·器件电学性能测试第105-108页
   ·本章小结第108页
 参考文献第108-110页
第六章 总结第110-112页
附录第112页
攻读博士期间发表的论文目录第112-114页
致谢第114-115页
个人简历第115-116页

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