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真空微电子加速度传感器的研究

中文摘要第1-4页
英文摘要第4-5页
目录第5-7页
1 绪论第7-16页
 1.1 引言第7页
 1.2 传感器技术的发展动向第7-8页
 1.3 微机电系统(MEMS)与微型制造技术第8-11页
 1.4 真空微电子传感器的国内外研究概况第11-14页
 1.5 本课题研究的意义第14-15页
 1.6 本论文研究的内容第15-16页
2 真空微电子加速度传感器的结构和工作原理第16-31页
 2.1 引言第16页
 2.2 几种不同原理的硅微加速度传感器比较第16-21页
  2.2.1 硅微压阻式加速度传感器第16-17页
  2.2.2 硅微压电式加速度传感器第17-18页
  2.2.3 硅微电容式加速度传感器第18-19页
  2.2.4 硅微隧道式加速度传感器第19-21页
 2.3 真空微电子加速度传感器的结构及工作原理第21-23页
 2.4 真空微电子加速度传感器的特点第23页
 2.5 真空微电子加速度传感器系统的传递函数第23-25页
 2.6 真空微电子加速度传感器的相关基础理论第25-31页
  2.6.1 场致发射(FieldElectronEmission)第25-27页
  2.6.2 场致发射规律符合Fowler-Nordheim公式第27-29页
  2.6.3 牛顿第二运动定律第29-31页
3 真空微电子加速度传感器的理论分析与计算第31-52页
 3.1 引言第31页
 3.2 有限元分析的基础理论第31-36页
  3.2.1 静力学分析的有限元基础理论第31-34页
  3.2.2 模态分析的有限元基础理论第34页
  3.2.3 谐响应分析的有限元基础理论第34-36页
 3.3 真空微电子加速度传感器的力学特性分析第36-48页
  3.3.1 静力学分析第36-39页
  3.3.2 静力学计算结果的回归分析第39-44页
  3.3.3 模态分析第44-45页
  3.3.4 模态计算结果的分析第45-47页
  3.3.5 谐响应分析第47-48页
 3.4 真空微电子加速度传感器的电学特性分析第48-52页
  3.4.1 阴极锥尖到阳极膜之间的距离与发射电流密度的关系第48-49页
  3.4.2 阴极锥尖到阳极膜之间的距离与锥尖阵列发射电流的关系第49-50页
  3.4.3 加速度与锥尖阵列发射电流的关系第50页
  3.4.4 计算机模拟结果的分析与讨论第50-52页
4 真空微电子加速度传感器的工艺设计与版图设计第52-62页
 4.1 引言第52页
 4.2 工艺方案分析第52-53页
 4.3 锥尖成形技术第53-56页
  4.3.1 KOH溶液对硅的各向异性腐蚀机理第53-54页
  4.3.2 硅锥尖的氧化锐化第54-56页
 4.4 “多掩膜-无掩膜”腐蚀技术第56-58页
 4.5 工艺设计第58-59页
  4.5.1 材料的选取第58页
  4.5.2 工艺流程第58-59页
 4.6 光刻掩膜版图设计第59-62页
结论第62-64页
致谢第64-65页
参考文献第65-67页
附:作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录第67页

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