| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·分子印迹技术的基本原理 | 第10-12页 |
| ·分子印迹技术的理论研究 | 第12-13页 |
| ·分子印迹理论研究现状 | 第12-13页 |
| ·分子印迹聚合物性能的表征 | 第13页 |
| ·分子印迹技术的应用 | 第13-18页 |
| ·MIPs 光化学传感器 | 第14页 |
| ·MIPs 质量敏感型传感器 | 第14-15页 |
| ·MIPs 表面声波传感器 | 第15页 |
| ·分子印迹电化学传感器 | 第15-18页 |
| ·现存问题及发展趋势 | 第18-19页 |
| ·本论文研究意义及主要工作 | 第19-21页 |
| ·3,4-二羟基苯甲酸分析测定的研究现状 | 第19-20页 |
| ·主要研究内容 | 第20页 |
| ·本研究工作的创新点 | 第20-21页 |
| 第二章 过氧化聚吡咯分子印迹膜修饰电极对3,4-二羟基苯甲酸的测定 | 第21-31页 |
| ·前言 | 第21-22页 |
| ·实验部分 | 第22-23页 |
| ·仪器和试剂 | 第22页 |
| ·3,4-DHBA-OPPy/GC 分子印迹电极的制备 | 第22-23页 |
| ·对3,4-DHBA 的测定 | 第23页 |
| ·实验结果与讨论 | 第23-30页 |
| ·聚合基质的选择 | 第23页 |
| ·3,4-DHBA-OPPy/GC 分子印迹电极制备的实验条件 | 第23-24页 |
| ·3,4-DHBA 在裸电极、印迹电极和对照电极上的电化学行为比较 | 第24-27页 |
| ·3,4-DHBA-OPPy/GC 分子印迹电极抗干扰性能测试 | 第27-28页 |
| ·线性范围和检测下限 | 第28-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第三章 硅溶胶-凝胶分子印迹膜的制备及其对3,4-二羟基苯甲酸的测定 | 第31-48页 |
| ·前言 | 第31-33页 |
| ·实验部分 | 第33-35页 |
| ·仪器和试剂 | 第33页 |
| ·旋涂法硅溶胶-凝胶分子印迹膜修饰电极的制备 | 第33-34页 |
| ·电聚合法硅溶胶-凝胶分子印迹膜修饰电极的制备 | 第34页 |
| ·修饰电极的电化学行为及其对3,4-DHBA 的测定 | 第34-35页 |
| ·实验结果与讨论 | 第35-48页 |
| ·旋涂法硅溶胶-凝胶分子印迹膜的制备及其响应特性 | 第35-39页 |
| ·电聚合制备硅溶胶-凝胶分子印迹膜及其对3,4-DHBA 测定的研究 | 第39-48页 |
| 参考文献 | 第48-56页 |
| 附录：在读期间发表的学术论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 附件 | 第59页 |
