中文摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-10页 |
第一章 文献综述 | 第10-35页 |
·超导体发展历史 | 第10-11页 |
·超导体的基本性质 | 第11-12页 |
·零电阻效应 | 第11页 |
·麦斯纳效应 | 第11页 |
·同位素效应 | 第11-12页 |
·临界磁场和临界电流 | 第12页 |
·MgB_2超导体结构及其超导性能 | 第12-18页 |
·MgB_2的晶体结构 | 第12-13页 |
·MgB_2超导性能 | 第13-17页 |
·MgB_2超导机理 | 第17-18页 |
·MgB_2超导体研究现状 | 第18-33页 |
·MgB_2超导体制备现状 | 第19-25页 |
·掺杂对MgB_2超导体的影响 | 第25-29页 |
·低温制备对MgB_2超导体的影响 | 第29-33页 |
·本文的研究内容及意义 | 第33-35页 |
第二章 实验研究方法 | 第35-41页 |
·引言 | 第35页 |
·研究内容 | 第35-36页 |
·样品的制备 | 第36-37页 |
·分析测试方法 | 第37-40页 |
·组织分析 | 第37页 |
·X-射线衍射分析 | 第37-38页 |
·超导电性能测量 | 第38-40页 |
·技术路线 | 第40-41页 |
第三章 金属掺杂高温烧结MgB_2超导体成相机理与性能 | 第41-63页 |
·引言 | 第41页 |
·不同Ag含量掺杂MgB_2超导体烧结过程分析 | 第41-44页 |
·差热曲线分析 | 第41-43页 |
·高温烧结产物相结构鉴定 | 第43-44页 |
·Ag掺杂MgB_2高温成相过程 | 第44-48页 |
·烧结反应分析 | 第44-46页 |
·瞬时液相烧结模型 | 第46-48页 |
·不同Sn含量掺杂MgB_2超导体烧结过程分析 | 第48-55页 |
·不同加热速率差热曲线分析 | 第48-50页 |
·不同Sn含量差热曲线分析 | 第50-51页 |
·不同加热速率下的物相鉴定 | 第51-53页 |
·高温烧结显微组织分析 | 第53-55页 |
·Sn掺杂反应过程分析 | 第55-58页 |
·第一阶段(460℃~550℃) | 第55-56页 |
·第二阶段(550℃~600℃) | 第56页 |
·第三阶段(600℃~850℃) | 第56-58页 |
·长时液相烧结模型 | 第58-59页 |
·超导性能分析 | 第59-62页 |
·临界转变温度 | 第59-60页 |
·临界电流密度 | 第60-62页 |
·小结 | 第62-63页 |
第四章 金属Sn和Ag掺杂低温快速制备MgB_2超导体及性能 | 第63-84页 |
·引言 | 第63页 |
·Ag掺杂低温快速制备MgB_2超导体及存在问题 | 第63-65页 |
·低温促进MgB_2超导体形成金属元素选择 | 第65-68页 |
·金属元素选取判据 | 第65-67页 |
·促进低温烧结MgB_2的金属元素选择 | 第67-68页 |
·Sn掺杂低温快速制备MgB_2 超导体 | 第68-70页 |
·低温烧结温度的确定 | 第70-73页 |
·不同温度下显微组织分析 | 第70-72页 |
·不同温度下物相鉴定 | 第72页 |
·烧结温度的确定 | 第72-73页 |
·Sn掺杂低温制备MgB超导体性能分析 | 第73-75页 |
·临界转变温度 | 第73-74页 |
·临界电流密度 | 第74-75页 |
·低温和高温超导机制比较 | 第75-82页 |
·低温下烧结物相鉴定 | 第75-76页 |
·低温下烧结显微组织分析 | 第76-77页 |
·掺杂对MgB_2性能影响机理 | 第77-78页 |
·高温超导机理 | 第78页 |
·低温超导机理 | 第78-80页 |
·高温和低温超导性能比较 | 第80-82页 |
·小结 | 第82-84页 |
第五章 全文结论 | 第84-86页 |
参考文献 | 第86-98页 |
发表论文和参加科研情况 | 第98-99页 |
致谢 | 第99页 |