| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-11页 |
| 1 绪论 | 第11-25页 |
| ·透明导电薄膜的研究现状 | 第12-14页 |
| ·SnO_2 基薄膜 | 第13页 |
| ·In_2O_3 基薄膜 | 第13页 |
| ·ZnO 基透明导电氧化物薄膜 | 第13-14页 |
| ·ZnO 薄膜的晶体结构和能带结构 | 第14-17页 |
| ·ZnO 薄膜的制备技术 | 第17-19页 |
| ·ZnO 薄膜的基本特性及用途 | 第19-22页 |
| ·透明导电特性及用途 | 第19页 |
| ·受激发射特性及用途 | 第19-20页 |
| ·压电特性及用途 | 第20-21页 |
| ·压敏特性及用途 | 第21-22页 |
| ·气敏特性及用途 | 第22页 |
| ·热电性能及用途 | 第22页 |
| ·其它用途 | 第22页 |
| ·本论文研究的内容及创新点 | 第22-25页 |
| 2 磁控溅射制备 ZnO:In 薄膜的原理，实验过程和表征 | 第25-37页 |
| ·射频磁控溅射的原理 | 第25-27页 |
| ·辉光放电原理 | 第25-26页 |
| ·溅射粒子的能量分布 | 第26页 |
| ·反应磁控溅射原理及优点 | 第26-27页 |
| ·ZnO:In 薄膜的制备过程 | 第27-29页 |
| ·射频磁控溅射装置 | 第27页 |
| ·实验材料 | 第27页 |
| ·ZnO:In 薄膜的沉积过程 | 第27-28页 |
| ·ZnO:In 薄膜的制备条件 | 第28页 |
| ·ZnO:In 薄膜的退火处理 | 第28-29页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第29-37页 |
| ·薄膜晶体结构测试（XRD） | 第29-31页 |
| ·薄膜表面形貌测试 | 第31页 |
| ·薄膜透射光谱测试 | 第31-32页 |
| ·薄膜光致发光性能测试（PL） | 第32-33页 |
| ·薄膜厚度及HALL 测试 | 第33-34页 |
| ·温差电动势的测量 | 第34-35页 |
| ·气敏特性的测试 | 第35-37页 |
| 3 ZnO:In 薄膜的透明导电特性 | 第37-61页 |
| ·衬底温度对薄膜的透明导电特性的影响 | 第37-43页 |
| ·衬底温度对薄膜的结构特性的影响 | 第37-40页 |
| ·衬底温度对薄膜的光学特性的影响 | 第40-41页 |
| ·衬底温度对薄膜的电学性质的影响 | 第41-43页 |
| ·溅射压强对薄膜的透明导电特性的影响 | 第43-46页 |
| ·溅射压强对薄膜结构的影响 | 第43-44页 |
| ·溅射压强对薄膜光学性能的影响 | 第44-45页 |
| ·溅射压强对薄膜电学性能的影响 | 第45-46页 |
| ·In 的掺杂浓度对薄膜的透明导电特性的影响 | 第46-52页 |
| ·In 的掺杂浓度对薄膜的结构特性的影响 | 第46-49页 |
| ·In 的掺杂浓度对薄膜的光学特性的影响 | 第49-51页 |
| ·In 的掺杂浓度对薄膜的电学性质的影响 | 第51-52页 |
| ·退火温度对薄膜的透明导电特性的影响 | 第52-56页 |
| ·退火温度对薄膜的结构特性的影响 | 第52-53页 |
| ·退火温度对薄膜的光学特性的影响 | 第53-55页 |
| ·退火温度对薄膜的电学性质的影响 | 第55-56页 |
| ·溅射功率对ZnO：In 薄膜的透明导电特性的影响 | 第56-59页 |
| ·溅射功率对薄膜的结构特性的影响 | 第56-57页 |
| ·溅射功率对薄膜的透光特性的影响 | 第57-59页 |
| ·溅射功率对薄膜的电学性质的影响 | 第59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 4 ZnO:In 薄膜的光学常数和 PL 谱 | 第61-83页 |
| ·光学常数计算方法综述 | 第61-65页 |
| ·光谱法 | 第61-64页 |
| ·椭圆偏振法(简称椭偏法) | 第64-65页 |
| ·利用非限制性逐点逼近法计算薄膜的光学常数 | 第65-67页 |
| ·计算原理 | 第65-66页 |
| ·计算步骤 | 第66-67页 |
| ·In 的掺杂浓度对薄膜的光学常数和PL 谱的影响 | 第67-73页 |
| ·In 的掺杂浓度对薄膜的结构特性的影响 | 第67-68页 |
| ·In 的掺杂浓度对薄膜的光学常数的影响 | 第68-71页 |
| ·In 的掺杂浓度对薄膜PL 谱的影响 | 第71-73页 |
| ·退火对薄膜的光学常数和PL 谱的影响 | 第73-80页 |
| ·退火对薄膜的结构特性的影响 | 第73-74页 |
| ·退火对薄膜的光学常数的影响 | 第74-80页 |
| ·退火对薄膜的PL 谱的影响 | 第80页 |
| ·本章小结 | 第80-83页 |
| 5 ZnO:In 薄膜的 NO_2 气敏特性 | 第83-97页 |
| ·气敏传感器发展现状 | 第83-84页 |
| ·NO_2 气体的危害 | 第84-85页 |
| ·气敏传感器的主要参数 | 第85-86页 |
| ·半导体氧化物的气敏机理 | 第86-90页 |
| ·半导体材料表面的气体吸附原理 | 第86-88页 |
| ·表面电导控制理论 | 第88-89页 |
| ·体电导控制理论 | 第89页 |
| ·晶界势垒理论 | 第89页 |
| ·吸附氧理论 | 第89-90页 |
| ·ZnO:In 薄膜对NO_2 气体的气敏测试 | 第90-95页 |
| ·不同In 掺杂浓度对NO_2 气敏的分析 | 第90-93页 |
| ·不同沉积时间对NO_2 气敏的分析 | 第93-94页 |
| ·ZnO 薄膜对NO_2 气体的机理分析 | 第94-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 6 ZnO:In 薄膜的热电特性 | 第97-103页 |
| ·引言 | 第97页 |
| ·热电性质 | 第97-98页 |
| ·ZnO：In 薄膜的热电性能 | 第98-102页 |
| ·ZnO:In 薄膜的结构和形貌特性 | 第98-100页 |
| ·ZnO:In 薄膜的电学特性. | 第100页 |
| ·ZnO:In 薄膜的热电性质以及在磁场下的 Seebeck 系数 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 7 结论与展望 | 第103-105页 |
| ·主要结论 | 第103-104页 |
| ·后续工作与展望 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-119页 |
| 附录 | 第119-122页 |
| A 作者在攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第119-121页 |
| B 作者在攻读博士学位期间申请的专利 | 第121-122页 |
| C 作者在攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第122页 |
