古斯—效应的激发结构及光学特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-25页 |
| ·引言 | 第12-14页 |
| ·多层膜结构GH 位移的研究方法 | 第14-17页 |
| ·静态相位法 | 第14-15页 |
| ·高斯光束法 | 第15-17页 |
| ·多层膜结构中GH 位移的激发机制 | 第17-18页 |
| ·表面波 | 第17-18页 |
| ·泄漏导波 | 第18页 |
| ·古斯- 汉欣位移的研究进展 | 第18-20页 |
| ·材料组成简介 | 第20-24页 |
| ·液晶 | 第20-21页 |
| ·左手材料 | 第21-24页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第2章 SPR 激发结构中电光调制GH 位移 | 第25-39页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·SPR 基本原理及主要激发结构 | 第25-30页 |
| ·金属的介电常数 | 第25-26页 |
| ·界面上表面等离子波的色散关系 | 第26-27页 |
| ·表面等离子波的传播和损耗特性 | 第27-28页 |
| ·表面等离子波的激发结构 | 第28-30页 |
| ·K-R 激发结构中GH 位移的可调谐性 | 第30-36页 |
| ·入射光功率大小对结果的影响 | 第36-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第3章 含左手材料多层膜结构的GH 位移 | 第39-53页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·左手右手介质界面的反射 | 第39-46页 |
| ·从右手介质入射到界面 | 第39-42页 |
| ·从左手介质入射到界面 | 第42-44页 |
| ·从左右手介质入射时反射的统一描述 | 第44-46页 |
| ·三层介质结构中的GH 位移 | 第46-52页 |
| ·三层介质结构中的反射透射公式 | 第46-48页 |
| ·静态相位法计算GH 位移 | 第48-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第4章 含弱吸收介质多层膜结构的巨GH 位移 | 第53-75页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·包含弱吸收介质的三层介质结构的反射 | 第53-58页 |
| ·内在损耗和辐射损耗对反射的影响 | 第58-60页 |
| ·无吸收时泄漏导模共振对GH 位移的影响 | 第60-62页 |
| ·有吸收时泄漏导模共振对古斯－汉欣位移的影响 | 第62-73页 |
| ·静态相位法推导出的近似公式 | 第62-65页 |
| ·静态相位法计算的结果 | 第65-67页 |
| ·高斯光束下的数值计算 | 第67-71页 |
| ·高斯光束下反射光的场分布 | 第71-72页 |
| ·入射光的束腰宽度对场分布的影响 | 第72-73页 |
| ·小结 | 第73-75页 |
| 第5章 含液晶多层膜结构中可调谐的GH 位移 | 第75-101页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·平面电磁波在液晶中的色散关系 | 第75-79页 |
| ·含液晶多层膜反射公式的推导 | 第79-83页 |
| ·界面反射公式的推导 | 第79-80页 |
| ·多层膜反射公式的推导 | 第80-81页 |
| ·在晶体界面的负折射 | 第81-83页 |
| ·液晶膜的正负可调的GH 位移 | 第83-87页 |
| ·利用静态相位法导出GH 位移 | 第84-86页 |
| ·高斯光束法进行数值验证 | 第86-87页 |
| ·调节液晶光轴的主要方法 | 第87-90页 |
| ·双面包覆金属的液晶膜的GH 位移 | 第90-99页 |
| ·自由空间耦合技术 | 第91-92页 |
| ·双面金属波导中的超高阶导模 | 第92-93页 |
| ·静态相位法计算双面金属波导的GH 位移 | 第93-96页 |
| ·高斯光束下的的数值计算结果 | 第96-99页 |
| ·小结 | 第99-101页 |
| 结论 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-116页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及其它成果 | 第116-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 个人简历 | 第120页 |
