| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-33页 |
| ·低维半导体材料简介 | 第13-14页 |
| ·量子点和自组装InAs量子点岛状结构 | 第14-17页 |
| ·量子点 | 第14-15页 |
| ·自组装InAs量子点岛 | 第15-17页 |
| ·含量子点岛的共振隧穿二极管 | 第17-21页 |
| ·共振隧穿光电二极管 | 第17-20页 |
| ·量子调控与含量子点岛的共振隧穿单光子探测器 | 第20-21页 |
| ·分子束外延 | 第21-27页 |
| ·分子束外延的系统结构 | 第22-24页 |
| ·分子束外延的生长过程 | 第24-27页 |
| ·国内外研究现状 | 第27-30页 |
| ·自组装InAs量子点岛的生长动力学研究 | 第27-28页 |
| ·含量子点岛的共振隧穿二极管单光子探测器的光电性能研究 | 第28-30页 |
| ·研究的目的与意义及本文的主要研究内容 | 第30-33页 |
| ·研究的目的与意义 | 第30-31页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第31-33页 |
| 第2章 材料的制备与测试方法 | 第33-41页 |
| ·材料的制备方法 | 第33-34页 |
| ·材料的分析与测试方法 | 第34-41页 |
| ·原子力显微镜测试(Atomic Force microscopy, AFM) | 第34-35页 |
| ·反射式高能电子衍射仪 | 第35-37页 |
| ·光致发光谱分析(Photolumeniscence, PL) | 第37-38页 |
| ·高分辨 X 射线衍射分析(High resolution X-ray diffraction, HRXRD) | 第38页 |
| ·掠入射X射线反射测试(Grazing incidence X-ray reflection, GIXRR) | 第38-40页 |
| ·高分辨透射电子显微镜分析 (High resolution transmission electron microscopy, HRTEM) | 第40-41页 |
| 第3章 InAs/GaAs (100) 量子点岛的生长及光学性能研究 | 第41-56页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·InAs/GaAs (100) 量子点岛的分子束外延生长 | 第42页 |
| ·InAs/GaAs (100) 量子点岛成核长大过程的RHEED分析 | 第42-46页 |
| ·InAs/GaAs (100) 量子点岛的形貌控制 | 第46-51页 |
| ·In增原子表面迁移能力对InAs/GaAs (100) 量子点岛形貌的影响 | 第47-49页 |
| ·InAs覆盖度对InAs/GaAs (100) 量子点岛形貌的影响 | 第49-51页 |
| ·InAs/GaAs (100) 量子点岛的光学性能分析 | 第51-55页 |
| ·In增原子迁移能力对InAs/GaAs (100) 量子点岛光学性质的影响 | 第51-53页 |
| ·InAs覆盖度对InAs/GaAs (100) 量子点岛光学性质的影响 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第4章 InAs/GaAs (311) B量子点岛的生长及光学性能研究 | 第56-71页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·InAs/GaAs (311) B量子点岛的分子束外延生长 | 第57-58页 |
| ·InAs/GaAs (311) B 量子点岛的形貌控制 | 第58-63页 |
| ·In原子表面迁移能力对InAs/GaAs (311) B 量子点岛形貌的影响 | 第58-59页 |
| ·InAs覆盖度对InAs/GaAs (311) B 量子点岛形貌的影响 | 第59-63页 |
| ·InAs/GaAs (311) B量子点岛的光学性质研究 | 第63-65页 |
| ·InAs/GaAs (311) B和 (100) 量子点岛的成核长大过程及光学性能对比 | 第65-69页 |
| ·成核长大过程对比 | 第65-69页 |
| ·光学性质对比 | 第69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第5章 InAs/InGaAs/GaAs量子点岛的生长及光学性能研究 | 第71-84页 |
| ·引言 | 第71-72页 |
| ·InAs/InGaAs (100) 及(311) B量子点岛的分子束外延生长 | 第72页 |
| ·InAs/InGaAs/GaAs量子点岛的临界转变厚度、结构、光学性能研究 | 第72-81页 |
| ·InAs/InGaAs的量子点岛临界转变厚度 | 第72-76页 |
| ·InAs/InGaAs/GaAs量子点岛的表面形貌 | 第76-78页 |
| ·InAs/InGaAs/GaAs量子点岛的光学性能分析 | 第78-79页 |
| ·InAs/InGaAs量子点岛的高分辨X射线分析 | 第79-81页 |
| ·在 GaAs (311) B 和 (100) 衬底上外延生长 InAs/InGaAs 量子点岛的比较 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第6章 InAs/InGaAs/AlAs 量子阱中量子点的光学性能及共振隧穿结构的优化生长研究 | 第84-100页 |
| ·引言 | 第84-85页 |
| ·InAs/(In)GaAs /AlAs结构的分子束外延生长 | 第85-86页 |
| ·InAs/InGaAs DWELL (100)和(311) B光学性质对比 | 第86-89页 |
| ·温度对InAs/InGaAs DWELL (100)中多模尺寸分布量子点岛光学性能的影响 | 第89-92页 |
| ·双势垒中生长InAs量子点岛对RTD界面粗糙度的影响及优化 | 第92-98页 |
| ·双势垒中生长InAs量子点岛对RTD界面粗糙度的影响 | 第92-94页 |
| ·双势垒中生长InAs量子点岛的RTD界面的粗糙度优化 | 第94-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 结论 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-113页 |
| 攻读博士学位期间所发表的学术论文及其他成果 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 个人简历 | 第116页 |
