纳米银焊膏烧结封装中高压IGBT模块及其性能表征
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 纳米银焊膏的研究进展 | 第8-11页 |
| 1.3 纳米银焊膏低温烧结工艺 | 第11-13页 |
| 1.3.1 纳米银焊膏的烧结机理 | 第11-12页 |
| 1.3.2 纳米银焊膏的低温烧结工艺的应用 | 第12-13页 |
| 1.4 IGBT功率模块的发展 | 第13-16页 |
| 1.4.1 IGBT模块封装结构 | 第13-16页 |
| 1.4.2 纳米银焊膏在IGBT模块封装中的应用 | 第16页 |
| 1.5 本文研究的意义和主要工作 | 第16-18页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第16-17页 |
| 1.5.2 主要工作 | 第17-18页 |
| 第2章 试验材料及试验设备 | 第18-27页 |
| 2.1 试验材料 | 第18-20页 |
| 2.2 试验设备 | 第20-27页 |
| 2.2.1 烧结设备和回流设备 | 第20-21页 |
| 2.2.2 真空镀膜设备 | 第21-22页 |
| 2.2.3 无损检测 | 第22-23页 |
| 2.2.4 力学性能测试 | 第23-24页 |
| 2.2.5 热阻测试 | 第24-25页 |
| 2.2.6 静态电性能测试 | 第25-26页 |
| 2.2.7 可靠性测试 | 第26-27页 |
| 第3章 单面芯片连接试样的制备及其性能表征 | 第27-50页 |
| 3.1 芯片单面烧结工艺的探索 | 第27-29页 |
| 3.2 芯片单面连接试样的制备 | 第29-31页 |
| 3.3 烧结银接头的性能表征 | 第31-45页 |
| 3.3.1 焊点的缺陷 | 第31-34页 |
| 3.3.2 烧结连接IGBT试样的剪切强度 | 第34-36页 |
| 3.3.3 烧结连接IGBT试样的瞬态热阻 | 第36-42页 |
| 3.3.4 烧结连接IGBT试样的电气性能 | 第42-44页 |
| 3.3.5 烧结银焊层的热冲击老化抗性 | 第44-45页 |
| 3.4 压接式模块和烧结式模块的对比 | 第45-48页 |
| 3.4.1 模块的散热性能 | 第46-47页 |
| 3.4.2 模块的静态电性能 | 第47-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 双面烧结芯片连接试样的制备及其性能表征 | 第50-62页 |
| 4.1 IGBT芯片发射极侧金属化 | 第50-55页 |
| 4.1.1 磁控溅射镀膜工艺 | 第50-53页 |
| 4.1.2 镀膜质量检测 | 第53-55页 |
| 4.2 双面烧结芯片连接试样的制备 | 第55-57页 |
| 4.3 双面烧结芯片连接试样的性能表征 | 第57-59页 |
| 4.3.1 焊点的缺陷 | 第57-58页 |
| 4.3.2 力学性能 | 第58-59页 |
| 4.4 热性能和电气性能 | 第59-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 结论 | 第62页 |
| 5.2 展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
