| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 课题背景 | 第10-11页 |
| 1.2 金刚石的结构与性能 | 第11-13页 |
| 1.3 碳化硅的基本特性 | 第13-14页 |
| 1.4 CVD金刚石生长机理 | 第14-16页 |
| 1.5 CVD金刚石制备方法 | 第16-20页 |
| 1.5.1 热丝化学气相沉积法(HFCVD) | 第17-18页 |
| 1.5.2 微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD) | 第18-19页 |
| 1.5.3 直流等离子体喷射化学气相沉积法(DC-PJ CVD) | 第19-20页 |
| 1.5.4 直流辉光放电等离子体化学气相沉积(DC-CVD)法 | 第20页 |
| 1.6 研究意义及研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 实验装置及表征 | 第22-32页 |
| 2.1 直流辉光等离子体化学气相沉积设备 | 第22-23页 |
| 2.2 直流辉光放电的特性 | 第23-25页 |
| 2.3 金刚石薄膜的表征 | 第25-32页 |
| 2.3.1 场发射扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.3.2 激光拉曼光谱 | 第26-28页 |
| 2.3.3 X射线衍射仪 | 第28-29页 |
| 2.3.4 原子力显微镜 | 第29-30页 |
| 2.3.5 透射电子显微镜 | 第30-32页 |
| 第三章 工艺参数对金刚石薄膜的影响 | 第32-48页 |
| 3.1 甲烷浓度对金刚石形核结果的影响 | 第32-35页 |
| 3.2 甲烷浓度对金刚石薄膜生长的影响 | 第35-39页 |
| 3.3 沉积气压对金刚石薄膜沉积的影响 | 第39-43页 |
| 3.4 衬底温度对金刚石薄膜沉积的影响 | 第43-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 碳化硅衬底形核研究及取向生长 | 第48-52页 |
| 4.1 单晶碳化硅碳/硅终端形核机理研究 | 第48-50页 |
| 4.2 高取向金刚石薄膜沉积 | 第50-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
