摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-25页 |
1.1 选题背景及意义 | 第13-14页 |
1.2 p型铜铁矿结构氧化物半导体研究进展 | 第14-16页 |
1.3 p型铜铁矿CuFeO_2的晶体结构 | 第16-17页 |
1.4 p型铜铁矿结构CuFeO_2的制备方法 | 第17-21页 |
1.4.1 脉冲激光沉积法 | 第17页 |
1.4.2 溶胶凝胶法 | 第17-19页 |
1.4.3 磁控溅射沉积法 | 第19-20页 |
1.4.4 水热法 | 第20-21页 |
1.5 p型铜铁矿结构CuFeO_2的掺杂 | 第21-22页 |
1.6 p型铜铁矿结构CuFeO_2的应用前景 | 第22-23页 |
1.6.1 透明氧化物光电器件 | 第22页 |
1.6.2 光催化 | 第22-23页 |
1.7 本论文研究思路和内容 | 第23-25页 |
第二章 样品制备方法及表征方式 | 第25-35页 |
2.1 本论文中主要使用化学试剂和实验仪器 | 第25-26页 |
2.1.1 主要使用化学试剂 | 第25页 |
2.1.2 实验仪器 | 第25-26页 |
2.2 磁控溅射制备p型铜铁矿CuFeO_2薄膜 | 第26-31页 |
2.2.1 磁控溅射设备简介及原理 | 第26-29页 |
2.2.2 薄膜的制备 | 第29-31页 |
2.3 水热法制备p型铜铁矿CuFeO_2粉体 | 第31-32页 |
2.4 p型铜铁矿CuFeO_2的表征方法 | 第32-35页 |
2.4.1 样品的结构表征 | 第32页 |
2.4.2 样品的表面形貌分析 | 第32页 |
2.4.3 样品的光学性能测试 | 第32-33页 |
2.4.4 样品的XPS分析 | 第33页 |
2.4.5 霍尔测试系统 | 第33页 |
2.4.6 电化学测试 | 第33-35页 |
第三章 铜铁矿CuFeO_2薄膜的制备与性能研究 | 第35-51页 |
3.1 退火温度对CuFeO_2结构和性能的影响 | 第35-38页 |
3.1.1 铜铁矿CuFeO_2的制备 | 第35-36页 |
3.1.2 退火温度对CuFeO2薄膜结构和光学性能的影响 | 第36-38页 |
3.2 不同氧流量对CuFeO_2的结构和光电性能影响 | 第38-45页 |
3.2.1 不同氧流量对CuFeO_2结构的影响 | 第38-40页 |
3.2.2 不同氧流量对薄膜的光学性能影响 | 第40-42页 |
3.2.3 不同氧流量薄膜的电学性能 | 第42-45页 |
3.3 N掺杂对CuFeO_2结构和性能影响 | 第45-49页 |
3.3.1 N掺杂对CuFeO_2结构的影响 | 第46-47页 |
3.3.2 N掺杂对CuFeO_2光学性能影响 | 第47-48页 |
3.3.3 N掺杂对薄膜的电学性能影响 | 第48-49页 |
3.4 本章小结 | 第49-51页 |
第四章 掺杂对p型铜铁矿CuFeO_2光电化学性能的影响 | 第51-69页 |
4.1 反应时间对CuFeO_2粉体结构和形貌的影响 | 第51-54页 |
4.2 Ca~(2+)掺杂对CuFeO_2光电化学性能的影响 | 第54-60页 |
4.2.1 Ca~(2+)掺杂对铜铁矿CuFeO_2结构的影响 | 第54-55页 |
4.2.2 工作电极的制备 | 第55页 |
4.2.3 Ca~(2+)掺杂CuFeO2的Mott-Schottky测试 | 第55-58页 |
4.2.4 Ca~(2+)掺杂CuFeO_2的交流阻抗测试 | 第58-59页 |
4.2.5 Ca~(2+)掺杂CuFeO_2的光电流响应测试 | 第59页 |
4.2.6 Ca~(2+)掺杂对CuFeO_2光学性能的影响 | 第59-60页 |
4.3 Ni~(2+)掺杂对CuFeO_2光电化学性能的影响 | 第60-66页 |
4.3.1 Ni~(2+)掺杂对铜铁矿CuFeO_2结构的影响 | 第60-61页 |
4.3.2 Ni~(2+)掺杂对CuFeO_2的形貌影响 | 第61-63页 |
4.3.3 Ni~(2+)掺杂CuFeO2的Mott-Schottky测试 | 第63-64页 |
4.3.4 Ni~(2+)掺杂CuFeO_2的交流阻抗测试 | 第64-65页 |
4.3.5 Ni~(2+)掺杂CuFeO_2的光电流响应测试 | 第65-66页 |
4.3.6 Ni~(2+)掺杂对CuFeO_2光学性能的影响 | 第66页 |
4.4 本章小结 | 第66-69页 |
第五章 结论 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-81页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第81-83页 |
致谢 | 第83页 |