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相变存储单元的热应力分布仿真

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第10-20页
    1.1 引言第10-12页
    1.2 相变存储器工作机制第12-15页
        1.2.1 相变存储器物理基础第12-13页
        1.2.2 相变单元结构第13-14页
        1.2.3 相变单元读写性能第14-15页
    1.3 相变存储器的疲劳特性第15-18页
        1.3.1 失效机制第15-17页
        1.3.2 研究现状第17-18页
    1.4 论文研究的意义与内容第18-20页
        1.4.1 论文研究的意义第18-19页
        1.4.2 论文研究的内容第19-20页
2 相变存储单元热应力仿真模型第20-31页
    2.1 热应力仿真原理第20-26页
        2.1.1 应力状态的求解第20-24页
        2.1.2 弹性体的应力边界条件第24-25页
        2.1.3 主应力的求解第25-26页
    2.2 热仿真原理的修正第26-31页
3 相变存储单元仿真方法及实现第31-39页
    3.1 有限元法简介第31页
    3.2 相变单元物理模型第31-33页
        3.2.1 仿真所使用的单元结构第31-32页
        3.2.2 材料的物理参数第32-33页
    3.3 相变单元仿真流程第33-35页
        3.3.1 仿真前的处理第34页
        3.3.2 主循环程序第34-35页
        3.3.3 仿真后处理第35页
    3.4 网格划分技术第35-37页
        3.4.1 六面体网格的划分第35-36页
        3.4.2 四面体网格的划分第36-37页
    3.5 方程离散后的求解第37-39页
4 相变单元应力分布仿真结果及分析第39-55页
    4.1 第一主应力的分布仿真第39-49页
        4.1.1 脉宽5ns的单脉冲作用下的仿真结果第39-45页
        4.1.2 脉宽15ns的单脉冲作用下的仿真结果第45-47页
        4.1.3 脉冲幅值对单元第一主应力分布的影响第47-48页
        4.1.4 多脉冲对单元第一主应力分布的影响第48-49页
    4.2 冯米斯等效应力的分布仿真第49-53页
        4.2.1 脉宽5ns的单脉冲作用下的仿真结果第49-51页
        4.2.2 冷却时间对单元冯米斯应力仿真结果的影响第51-52页
        4.2.3 脉冲幅值对单元冯米斯应力仿真结果的影响第52-53页
        4.2.4 多脉冲对单元冯米斯应力仿真结果的影响第53页
    4.3 热应变对单元热仿真结果的影响第53-55页
5 总结与展望第55-58页
    5.1 总结第55-56页
    5.2 展望第56-58页
致谢第58-59页
参考文献第59-62页

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