摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第10-20页 |
1.1 引言 | 第10-12页 |
1.2 相变存储器工作机制 | 第12-15页 |
1.2.1 相变存储器物理基础 | 第12-13页 |
1.2.2 相变单元结构 | 第13-14页 |
1.2.3 相变单元读写性能 | 第14-15页 |
1.3 相变存储器的疲劳特性 | 第15-18页 |
1.3.1 失效机制 | 第15-17页 |
1.3.2 研究现状 | 第17-18页 |
1.4 论文研究的意义与内容 | 第18-20页 |
1.4.1 论文研究的意义 | 第18-19页 |
1.4.2 论文研究的内容 | 第19-20页 |
2 相变存储单元热应力仿真模型 | 第20-31页 |
2.1 热应力仿真原理 | 第20-26页 |
2.1.1 应力状态的求解 | 第20-24页 |
2.1.2 弹性体的应力边界条件 | 第24-25页 |
2.1.3 主应力的求解 | 第25-26页 |
2.2 热仿真原理的修正 | 第26-31页 |
3 相变存储单元仿真方法及实现 | 第31-39页 |
3.1 有限元法简介 | 第31页 |
3.2 相变单元物理模型 | 第31-33页 |
3.2.1 仿真所使用的单元结构 | 第31-32页 |
3.2.2 材料的物理参数 | 第32-33页 |
3.3 相变单元仿真流程 | 第33-35页 |
3.3.1 仿真前的处理 | 第34页 |
3.3.2 主循环程序 | 第34-35页 |
3.3.3 仿真后处理 | 第35页 |
3.4 网格划分技术 | 第35-37页 |
3.4.1 六面体网格的划分 | 第35-36页 |
3.4.2 四面体网格的划分 | 第36-37页 |
3.5 方程离散后的求解 | 第37-39页 |
4 相变单元应力分布仿真结果及分析 | 第39-55页 |
4.1 第一主应力的分布仿真 | 第39-49页 |
4.1.1 脉宽5ns的单脉冲作用下的仿真结果 | 第39-45页 |
4.1.2 脉宽15ns的单脉冲作用下的仿真结果 | 第45-47页 |
4.1.3 脉冲幅值对单元第一主应力分布的影响 | 第47-48页 |
4.1.4 多脉冲对单元第一主应力分布的影响 | 第48-49页 |
4.2 冯米斯等效应力的分布仿真 | 第49-53页 |
4.2.1 脉宽5ns的单脉冲作用下的仿真结果 | 第49-51页 |
4.2.2 冷却时间对单元冯米斯应力仿真结果的影响 | 第51-52页 |
4.2.3 脉冲幅值对单元冯米斯应力仿真结果的影响 | 第52-53页 |
4.2.4 多脉冲对单元冯米斯应力仿真结果的影响 | 第53页 |
4.3 热应变对单元热仿真结果的影响 | 第53-55页 |
5 总结与展望 | 第55-58页 |
5.1 总结 | 第55-56页 |
5.2 展望 | 第56-58页 |
致谢 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-62页 |