| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 硅基光子学的研究意义 | 第11-13页 |
| 1.2 硅基光子学和硅基电光调制器的研究现状 | 第13-18页 |
| 1.3 硅基光子学和硅基电光调制器研究所面临的工程科技问题 | 第18-21页 |
| 1.4 本文的创新点和结构安排 | 第21-25页 |
| 2 基于衬底掏空技术的超高带宽硅光调制器研究 | 第25-73页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 半导体硅中的等离子体色散效应和SOI纳米硅光波导 | 第25-29页 |
| 2.3 硅光调制器有源区和分合波器件研究 | 第29-39页 |
| 2.4 PN结与行波电极电学高频特性和调制器带宽研究 | 第39-47页 |
| 2.5 有源区的流片加工和实验测试结果 | 第47-49页 |
| 2.6 单端驱动硅光调制器行波电极 | 第49-55页 |
| 2.7 衬底掏空调制器调控技术研究 | 第55-65页 |
| 2.8 调制器眼图和带宽等性能的测试与表征 | 第65-71页 |
| 2.9 本章小结 | 第71-73页 |
| 3 高性能MZI硅光调制器的研究 | 第73-82页 |
| 3.1 引言 | 第73页 |
| 3.2 用于O波段的数通高速调制器 | 第73-76页 |
| 3.3 差分调制器行波电极研究 | 第76-78页 |
| 3.4 高速低功耗差分硅光调制器 | 第78-81页 |
| 3.5 本章小结 | 第81-82页 |
| 4 硅光调制器的集成研究：电光集成与波分复用CWDM单片集成调制器 | 第82-91页 |
| 4.1 引言 | 第82-83页 |
| 4.2 通过打线方式混合集成的硅基可重构PAM4发射机 | 第83-87页 |
| 4.3 单片集成的硅基波分复用(CWDM)发射机 | 第87-89页 |
| 4.4 本章小结 | 第89-91页 |
| 5 PON、数据中心和相干长距光网络中的硅光调制器 | 第91-106页 |
| 5.1 引言 | 第91-92页 |
| 5.2 光接入网络和5G前传中的硅基调制器 | 第92-96页 |
| 5.3 数据中心单波长100G场景中硅基调制器 | 第96-99页 |
| 5.4 相干长距离传输网络中的硅基调制器 | 第99-105页 |
| 5.5 本章小结 | 第105-106页 |
| 6 总结与展望 | 第106-109页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第106-107页 |
| 6.2 下一步工作展望 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-122页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第122-123页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请的专利目录 | 第123-124页 |
| 附录3 攻读博士学位期间参与项目 | 第124-131页 |
| 附录4 英文缩写简表 | 第131-132页 |
