| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 纳米半导体的研究背景与现状 | 第10-11页 |
| 1.2 纳米半导体的合成策略 | 第11-15页 |
| 1.2.1 单分子前驱体法(热分解法) | 第12页 |
| 1.2.2 水热或溶剂热法 | 第12-13页 |
| 1.2.3 离子交换法 | 第13-14页 |
| 1.2.4 模板法 | 第14-15页 |
| 1.3 纳米半导体可控调节相变的常用方法 | 第15-19页 |
| 1.3.1 反应温度对纳米半导体相变的影响 | 第16-17页 |
| 1.3.2 反应前驱体对纳米半导体相变的影响 | 第17-18页 |
| 1.3.3 表面活性剂对纳米半导体相变的影响 | 第18-19页 |
| 1.4 纳米半导体的性能研究 | 第19-24页 |
| 1.4.1 纳米半导体在表面增强拉曼(SERS)中的应用 | 第19-20页 |
| 1.4.2 纳米半导体在电致化学发光(ECL)中的应用 | 第20-22页 |
| 1.4.3 纳米半导体在光电化学(PEC)中的应用 | 第22-24页 |
| 1.5 本课题的研究现状及立项依据 | 第24-25页 |
| 第2章 单斜相Cu_2Se纳米晶及Cu_2Se/Pd异质结构的合成、表征及表面增强拉曼(SERS)性能的研究 | 第25-40页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 实验方法 | 第26-29页 |
| 2.2.1 实验试剂与仪器 | 第26-27页 |
| 2.2.2 样品制备方法 | 第27-28页 |
| 2.2.3 样品的表征 | 第28页 |
| 2.2.4 表面增强拉曼(SERS)性能测试 | 第28-29页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第29-36页 |
| 2.3.1 六方相CuSe、立方相Cu_(2-x)Se和单斜相Cu_2Se组分、结构和形貌的表征 | 第29-31页 |
| 2.3.2 形成机理的讨论 | 第31-33页 |
| 2.3.3 CuSe/Pd、Cu_(2-x)Se/Pd和Cu_2Se/Pd组分、结构和形貌的表征 | 第33-36页 |
| 2.4 Cu_2Se/Pd的SERS性能 | 第36-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第3章 以硼烷-叔丁基胺配合物(BTBC)为导向剂可控合成不同相结构的ZnSe纳米晶及其在选择性检测Cd~(2+)的电致化学发光行为 | 第40-57页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 实验部分 | 第41-43页 |
| 3.2.1 试剂和仪器 | 第41页 |
| 3.2.2 样品制备 | 第41-42页 |
| 3.2.3 样品的表征 | 第42-43页 |
| 3.2.4 ZnSe纳米晶的电致化学发光(ECL)性能测试 | 第43页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第43-52页 |
| 3.3.1 立方相和六方相ZnSe纳米晶结构、组成和形貌的表征 | 第43-45页 |
| 3.3.2 样品的拉曼光谱分析 | 第45-46页 |
| 3.3.3 样品的固体紫外可见漫反射光谱分析 | 第46-47页 |
| 3.3.4 表面功能化后不同相结构ZnSe的形貌和结构表征 | 第47-48页 |
| 3.3.5 影响不同相结构ZnSe纳米粒子生长因素的讨论 | 第48-51页 |
| 3.3.6 W-ZnSe NCs形成机理的讨论 | 第51-52页 |
| 3.4 两种相结构ZnSe的ECL性能 | 第52-56页 |
| 3.4.1 疏水性ZnSe NCs的ECL | 第52-53页 |
| 3.4.2 亲水性ZnSe NCs的ECL | 第53-54页 |
| 3.4.3 亲水性ZnSe NCs构筑的ECL传感器用于Cd~(2+)检测 | 第54-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第4章 相可控合成硒化锗插层结构及其在生物光电材料上的潜在应用 | 第57-73页 |
| 4.1 引言 | 第57-58页 |
| 4.2 实验部分 | 第58-60页 |
| 4.2.1 试剂和仪器 | 第58-59页 |
| 4.2.2 样品制备 | 第59页 |
| 4.2.3 样品的表征 | 第59-60页 |
| 4.2.4 GeSe_2和GeSe的光电化学(PEC)性能测试 | 第60页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第60-69页 |
| 4.3.1 单斜相GeSe_2微米晶结构、组成分析和形貌表征 | 第60-62页 |
| 4.3.2 正交相GeSe微米晶结构、组成分析和形貌表征 | 第62-65页 |
| 4.3.3 样品的热分析 | 第65-66页 |
| 4.3.4 样品紫外-可见漫反射光谱分析 | 第66页 |
| 4.3.5 能带结构的测定 | 第66-67页 |
| 4.3.6 反应条件对GeSe_2和GeSe发生相转变的影响 | 第67-69页 |
| 4.4 单斜相GeSe_2和正交相GeSe的光电化学(PEC)性质 | 第69-72页 |
| 4.4.1 单斜相GeSe_2的PEC性质 | 第69-70页 |
| 4.4.2 正交相GeSe的PEC性质 | 第70-71页 |
| 4.4.3 混合相GeSe_2-GeSe的PEC性质 | 第71-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第5章 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-90页 |
| 在读期间发表的学术论文及研究成果 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91页 |
