| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 新型非易失性存储器 | 第10-12页 |
| 1.2.1 铁电存储器 | 第11页 |
| 1.2.2 磁存储器 | 第11-12页 |
| 1.2.3 相变存储器 | 第12页 |
| 1.2.4 阻变存储器 | 第12页 |
| 1.3 阻变存储器概述 | 第12-20页 |
| 1.3.1 阻变存储器的发展历程和研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.2 阻变存储器的工作原理 | 第14-15页 |
| 1.3.3 阻变存储器的常用阻变材料 | 第15-16页 |
| 1.3.4 阻变存储器件的阻变机制 | 第16-18页 |
| 1.3.5 阻变存储器件的性能评价参数 | 第18-20页 |
| 1.4 量子点的简介 | 第20-22页 |
| 1.4.1 量子点的基本性质及发展现状 | 第20页 |
| 1.4.2 AgInZnS量子点及其应用 | 第20-21页 |
| 1.4.3 石墨烯量子点(GQDs)及其应用 | 第21-22页 |
| 1.5 选题意义及研究内容 | 第22-25页 |
| 1.5.1 选题意义 | 第22-23页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第23-25页 |
| 2 实验部分 | 第25-32页 |
| 2.1 实验原料与仪器 | 第25-26页 |
| 2.1.1 实验原料与试剂 | 第25页 |
| 2.1.2 实验仪器与装置 | 第25-26页 |
| 2.2 材料与器件的制备 | 第26-28页 |
| 2.2.1 AgInZnS材料的制备 | 第26-27页 |
| 2.2.2 石墨烯量子点材料的制备 | 第27页 |
| 2.2.3 Al/AIZS/ITO器件的制备 | 第27-28页 |
| 2.2.4 Ag/GQDs&PMMA/ITO器件的制备 | 第28页 |
| 2.3 材料与器件的表征方法 | 第28-31页 |
| 2.3.1 材料的表征方法 | 第28-30页 |
| 2.3.2 器件的电学性能测试方法 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 3 Al/AIZS/ITO阻变器的制备及其性能研究 | 第32-42页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第32-41页 |
| 3.2.1 产物的表征 | 第32-35页 |
| 3.2.2 Al/AIZS/ITO器件的阻变性能测试 | 第35-39页 |
| 3.2.3 Al/AIZS/ITO器件的阻变机制 | 第39-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 4 Ag/GQDs&PMMA/ITO阻变器的制备及其性能研究 | 第42-55页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第43-54页 |
| 4.2.1 产物表征 | 第43-46页 |
| 4.2.2 Ag/GQDs&PMMA/ITO器件的阻变性能测试 | 第46-52页 |
| 4.2.3 Ag/GQDs&PMMA/ITO器件的阻变机制 | 第52-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 5 结论与展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 附录 | 第66页 |
| 作者在攻读学位期间发表的论文目录: | 第66页 |
