| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 文献综述 | 第10-29页 |
| 1.1 研究背景 | 第10页 |
| 1.2 介电材料概述 | 第10-14页 |
| 1.2.1 电介质的极化与损耗 | 第12-13页 |
| 1.2.2 线性与非线性电介质 | 第13-14页 |
| 1.3 介电材料的种类 | 第14-18页 |
| 1.3.1 陶瓷 | 第14-16页 |
| 1.3.2 聚合物 | 第16-17页 |
| 1.3.3 多相复合电介质材料 | 第17-18页 |
| 1.4 聚合物纳米复合介电材料研究进展 | 第18-27页 |
| 1.4.1 聚合物绝缘纳米填料复合介电材料 | 第18-21页 |
| 1.4.2 聚合物/导电纳米复合介电材料 | 第21-25页 |
| 1.4.3 聚合物纳米复合材料界面效应 | 第25-27页 |
| 1.5 液晶高分子简介 | 第27-28页 |
| 1.6 本论文研究的目的、内容和意义 | 第28-29页 |
| 第2章 含氟甲壳型液晶高分子的设计合成与及其相态结构表征 | 第29-37页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 实验部分 | 第29-32页 |
| 2.2.1 试剂与仪器 | 第29-30页 |
| 2.2.2 三种端基含氟的甲壳型液晶高分子的单体及其聚合物的合成 | 第30-31页 |
| 2.2.3 乙烯基对苯二甲酸的合成 | 第31页 |
| 2.2.4 单体MTFMS的制备 | 第31-32页 |
| 2.2.5 聚合物PTFMS的合成 | 第32页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第32-36页 |
| 2.3.1 不同端基含氟单体及聚合物的合成与表征 | 第32-33页 |
| 2.3.2 聚合物相态结构表征 | 第33-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 含氟液晶高分子修饰石墨烯及其界面层厚度对复合物介电储能影响的研究 | 第37-52页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 实验部分 | 第37-40页 |
| 3.2.1 试剂与仪器 | 第37-39页 |
| 3.2.2 样品制备与表征 | 第39-40页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第40-51页 |
| 3.3.1 PTFMS/P(VDF-TrFE-CTFE)共混膜的表面形态分析 | 第40-41页 |
| 3.3.2 rGO@刚性含氟聚合物及其纳米复合材料的合成与表征 | 第41-47页 |
| 3.3.3 纳米复合材料介电性能研究 | 第47-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 含氟液晶高分子修饰碳纳米管及其修饰层厚度对复合物介电储能影响的研究 | 第52-62页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 实验部分 | 第52-54页 |
| 4.2.1 实验试剂原料与仪器 | 第52-53页 |
| 4.2.2 碳纳米管的表面功能化 | 第53-54页 |
| 4.2.3 CNT@PTFMS/P(VDF-CTFE)纳米复合介电材料的制备 | 第54页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第54-60页 |
| 4.3.1 碳纳米管表面功能化合成与表征 | 第54-57页 |
| 4.3.2 CNT@PTFMS/P(VDF-CTFE)纳米复合材料介电性能研究 | 第57-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 总结与展望 | 第62-64页 |
| 总结 | 第62-63页 |
| 展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 附录A 个人简介、攻读硕士学位期间发表的论文 | 第74页 |
