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低维硅纳米结构的热电性能的理论研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-16页
    1.1 研究背景与意义第9-10页
    1.2 热电效应第10-14页
        1.2.1 热电转化原理第10-12页
        1.2.2 热电材料的性能参数第12-13页
        1.2.3 热电材料的发展第13-14页
    1.3 论文研究内容第14-16页
第2章 计算方法与理论第16-26页
    2.1 密度泛函理论(DFT)第16-22页
        2.1.1 DFT基本原理第16-20页
        2.1.2 哈密顿量第20-21页
        2.1.3 力常数矩阵第21-22页
    2.2 密度泛函紧束缚理论(DFTB)第22-23页
    2.3 非平衡格林函数第23-25页
        2.3.1 声子—NEGF第23-24页
        2.3.2 电子—NEGF第24-25页
    2.4 小结第25-26页
第3章 哑铃状硅烯纳米带的热电性能第26-34页
    3.1 引言第26-27页
    3.2 计算模型和选取势函数第27-28页
    3.3 计算结果与讨论第28-33页
        3.3.1 哑铃状硅烯纳米带的电子输运性质第28-30页
        3.3.2 哑铃状硅烯纳米带的声子透射系数第30-32页
        3.3.3 哑铃状硅烯纳米带的热电性质第32-33页
    3.4 小结第33-34页
第4章 Si_(24)纳米线的热电性能第34-40页
    4.1 引言第34-35页
    4.2 不同晶相Si_(24)纳米线的热电性质第35-37页
    4.3 掺杂Ge浓度对[010]晶向Si_(24)纳米线热电性能的影响第37-39页
    4.4 小结第39-40页
第5章 总结与展望第40-41页
参考文献第41-46页
致谢第46-47页
个人简历、攻读硕士学位期间完成的论文第47页

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