| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11页 |
| 1.2 光电探测器的简介 | 第11-13页 |
| 1.3 光电探测器的发展 | 第13-14页 |
| 1.4 本文的工作及意义 | 第14-16页 |
| 第二章 基于n-Ga:ZnO纳米棒/p-GaN异质结的自供电紫外光电探测器 | 第16-26页 |
| 2.1 引言 | 第16-17页 |
| 2.2 n-GZO纳米棒/p-GaN光电探测器的制备 | 第17-18页 |
| 2.3 探测器的表征和测试仪器 | 第18-19页 |
| 2.4 探测器的材料表征与性能测试分析 | 第19-24页 |
| 2.4.1 纳米棒阵列的形貌表征分析 | 第19页 |
| 2.4.2 纳米棒阵列的物相和光吸收分析 | 第19-20页 |
| 2.4.3 探测器的I-V特性分析 | 第20-22页 |
| 2.4.4 探测器的I-T响应测试 | 第22页 |
| 2.4.5 探测器的光谱响应度和光谱探测度测试 | 第22-24页 |
| 2.5 GZO纳米棒/GaN探测器的自供电性能原理分析 | 第24-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 基于Ga:ZnO纳米棒/CH_3NH_3PbI_3/MoO_3异质结的自供电光电探测器 | 第26-40页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 GZO纳米棒/CH_3NH_3PbI_3/MoO_3光电探测器的制备 | 第27-29页 |
| 3.3 探测器的表征和测试仪器 | 第29页 |
| 3.4 光电探测器的材料表征与性能测试分析 | 第29-37页 |
| 3.4.1 探测器材料的形貌表征及掺杂元素分析 | 第29-31页 |
| 3.4.2 探测器材料的物相和光吸收分析 | 第31-32页 |
| 3.4.3 探测器的I-V特性分析 | 第32-35页 |
| 3.4.4 探测器的I-T响应及稳定性测试 | 第35-36页 |
| 3.4.5 探测器的光谱响应度和光谱探测度测试 | 第36-37页 |
| 3.4.6 纳米棒的光致发光谱分析 | 第37页 |
| 3.5 探测器的自供电性能原理分析 | 第37-38页 |
| 3.6 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 无空穴传输层Ga:ZnO纳米棒/CH_3NH_3PbI_3/C异质结自供电光电探测器 | 第40-51页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 GZO纳米棒/CH_3NH_3PbI_3/C光电探测器的制备 | 第41-42页 |
| 4.3 探测器的表征和测试仪器 | 第42-43页 |
| 4.4 光电探测器的材料表征与性能测试分析 | 第43-50页 |
| 4.4.1 探测器材料的形貌表征分析 | 第43-44页 |
| 4.4.2 器件材料的物相和光吸收分析 | 第44-45页 |
| 4.4.3 探测器的I-V特性分析 | 第45-47页 |
| 4.4.4 探测器的I-T响应与稳定性测试 | 第47-49页 |
| 4.4.5 探测器的光谱响应度和光谱探测度测试 | 第49-50页 |
| 4.5 探测器的自供电性能原理分析 | 第50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 总结 | 第51页 |
| 5.2 对下一步工作的展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 附录 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
