| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 铁电薄膜 | 第11-14页 |
| 1.1.1 铁电薄膜的衬底材料 | 第11-13页 |
| 1.1.2 低温制备工艺 | 第13-14页 |
| 1.2 BiFeO_3铁电材料 | 第14-16页 |
| 1.2.1 BiFeO_3晶体结构 | 第14-15页 |
| 1.2.2 BiFeO_3薄膜的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.3 与BiFeO_3相关的物理特性 | 第16-21页 |
| 1.3.1 老化特性 | 第16-18页 |
| 1.3.2 疲劳特性 | 第18-19页 |
| 1.3.3 漏电特性 | 第19-20页 |
| 1.3.4 自极化性能 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文研究的意义及主要内容 | 第21-25页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第21-22页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第22-25页 |
| 第二章 实验方案设计与研究方法 | 第25-29页 |
| 2.1 原料及仪器设备 | 第25页 |
| 2.2 BiFeO_3薄膜的制备 | 第25-27页 |
| 2.2.1 BiFeO_3薄膜的制备技术 | 第25-26页 |
| 2.2.2 BiFeO_3薄膜前驱体溶液的制备 | 第26页 |
| 2.2.3 BiFeO_3薄膜的制备工艺流程 | 第26-27页 |
| 2.3 BiFeO_3薄膜的表征方法 | 第27-29页 |
| 第三章 (012)-取向BiFeO_3薄膜的低温制备与性能研究 | 第29-61页 |
| 3.1 不同溶液对BiFeO_3薄膜性能的影响 | 第29-31页 |
| 3.2 预处理温度对BiFeO_3薄膜性能的影响 | 第31-33页 |
| 3.3 退火温度对BiFeO_3薄膜性能的影响 | 第33-35页 |
| 3.4 溶液放置时间对BiFeO_3薄膜取向的影响 | 第35-36页 |
| 3.5 不同取向择优BiFeO_3薄膜的性能研究 | 第36-40页 |
| 3.5.1 (110)-与(012)-取向择优BiFeO_3薄膜的铁电性能研究 | 第36-39页 |
| 3.5.2 (110)-与(012)-取向择优BiFeO_3薄膜的结晶性研究 | 第39-40页 |
| 3.6 (012)-取向择优BiFeO_3薄膜漏电性能的研究 | 第40-49页 |
| 3.6.1 稳定时间对BiFeO_3薄膜漏电性能的影响 | 第40-47页 |
| 3.6.2 测量时间和延迟时间对BiFeO_3薄膜漏电性能的影响 | 第47-49页 |
| 3.7 (012)-取向择优BiFeO_3薄膜疲劳性能的研究 | 第49-54页 |
| 3.8 BiFeO_3薄膜中氧空位的位置对漏电和疲劳性能的影响 | 第54-59页 |
| 3.9 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 普通金属上BiFeO_3薄膜的低温制备及性能研究 | 第61-91页 |
| 4.1 溶液浓度对BiFeO_3薄膜性能的影响 | 第62-64页 |
| 4.2 热板温度对BiFeO_3薄膜性能的影响 | 第64-65页 |
| 4.3 衬底处理气氛对BiFeO_3薄膜性能的影响 | 第65-66页 |
| 4.4 预处理温度对BiFeO_3薄膜性能的影响 | 第66-73页 |
| 4.4.1 预处理温度对BiFeO_3/Al薄膜性能的影响 | 第66-69页 |
| 4.4.2 预处理温度对BiFeO_3/SS薄膜性能的影响 | 第69-71页 |
| 4.4.3 预处理温度对BiFeO_3/Ni薄膜性能的影响 | 第71-73页 |
| 4.5 退火温度对BiFeO_3薄膜性能的影响 | 第73-78页 |
| 4.5.1 退火温度对BiFeO_3/Al薄膜性能的影响 | 第73-75页 |
| 4.5.2 退火温度对BiFeO_3/SS薄膜性能的影响 | 第75-76页 |
| 4.5.3 退火温度对BiFeO_3/Ni薄膜性能的影响 | 第76-78页 |
| 4.6 铜片上BiFeO_3薄膜的制备及性能研究 | 第78-79页 |
| 4.7 不同衬底对BiFeO_3薄膜性能的影响 | 第79-87页 |
| 4.8 更低退火温度对BiFeO_3/Al薄膜性能的影响 | 第87-89页 |
| 4.9 本章小结 | 第89-91页 |
| 第五章 结论与展望 | 第91-93页 |
| 5.1 主要研究结论 | 第91-92页 |
| 5.2 主要创新点 | 第92页 |
| 5.3 工作展望 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-103页 |
| 致谢 | 第103-105页 |
| 附录 | 第105-106页 |