| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 AlGaN基UVLED发展现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 AlGaN基UVLED发展现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 透明电极薄膜研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 透明电极薄膜面临的主要问题 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 AlGaN基UVLED的制备与表征方法 | 第17-24页 |
| 2.1 透明电极薄膜工作原理 | 第17-18页 |
| 2.2 透明电极薄膜的制备和表征方法 | 第18-22页 |
| 2.2.1 四探针方阻测试仪 | 第18页 |
| 2.2.2 紫外-可见分光光度计 | 第18-19页 |
| 2.2.3 椭偏仪 | 第19-20页 |
| 2.2.4 原子力显微镜(AFM) | 第20-21页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱(XPS) | 第21-22页 |
| 2.3 LED的制备和表征方法 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 基于金属掺杂ITO薄膜的紫外LED制备 | 第24-41页 |
| 3.1 Metal-ITO薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 3.2 Metal-ITO薄膜性能测试 | 第25-35页 |
| 3.2.1 Metal-ITO薄膜方块电阻、透过率和吸收测试 | 第25-29页 |
| 3.2.2 Metal-ITO薄膜AFM分析 | 第29-30页 |
| 3.2.3 Metal-ITO薄膜XPS分析 | 第30-32页 |
| 3.2.4 Metal-ITO薄膜带隙变化分析 | 第32-34页 |
| 3.2.5 Metal-ITO薄膜欧姆接触特性 | 第34-35页 |
| 3.3 Metal-ITO薄膜用于395和365nmLED制备 | 第35-40页 |
| 3.3.1 芯片制备 | 第35-36页 |
| 3.3.2 395nmUVLED芯片性能研究 | 第36-38页 |
| 3.3.3 365nmUVLED芯片性能研究 | 第38-39页 |
| 3.3.4 芯片测试结果与讨论 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 新型Ga_2O_3紫外透明薄膜的制备 | 第41-54页 |
| 4.1 M-Ga_2O_3薄膜制备 | 第41-42页 |
| 4.2 Ni-M-Ga_2O_3薄膜测试与分析 | 第42-49页 |
| 4.2.1 薄膜研究 | 第42-47页 |
| 4.2.2 薄膜与p-GaN接触特性 | 第47-48页 |
| 4.2.3 薄膜用于制备365nmUVLED芯片 | 第48-49页 |
| 4.3 ITO-M-Ga_2O_3薄膜测试与分析 | 第49-52页 |
| 4.3.1 薄膜研究 | 第49-51页 |
| 4.3.2 薄膜用于制备365nmUVLED芯片 | 第51-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 结论与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 附件 | 第65页 |