| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| ·铅盐材料的特性及应用 | 第7-9页 |
| ·论文选题及主要内容 | 第9-10页 |
| 第二章 PbTe 薄膜制备技术、实验设备及表征手段 | 第10-19页 |
| ·PbTe 薄膜制备技术的介绍 | 第10-11页 |
| ·分子束外延法 | 第10-11页 |
| ·金属有机化合物气相沉积法 | 第11页 |
| ·热壁外延法 | 第11-13页 |
| ·实验装置 | 第13-15页 |
| ·HWE 设备示意图 | 第13页 |
| ·简化的HWE 炉 | 第13-14页 |
| ·真空和加热装置 | 第14页 |
| ·该设备的优点 | 第14-15页 |
| ·使用HWE 生长IV-VI 族半导体 | 第15-16页 |
| ·PbTe 薄膜的生长机制 | 第16-17页 |
| ·PbTe 膜的表征技术 | 第17-19页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第17页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第17页 |
| ·电子背散射衍射（EBSD） | 第17-18页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第18-19页 |
| 第三章 Si 衬底上生长PbTe(100)薄膜 | 第19-33页 |
| ·实验过程及条件 | 第19-20页 |
| ·PbTe 薄膜结构分析 | 第20-26页 |
| ·电学性质的测量 | 第26-29页 |
| ·n-PbTe/p-Si 异质结能带结构分析 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 Si 衬底上生长（111）取向的PbTe 薄膜 | 第33-43页 |
| ·实验过程及条件 | 第33页 |
| ·实验结果及讨论 | 第33-42页 |
| ·Bi 掺杂 PbTe 膜的形貌和取向 | 第33-36页 |
| ·薄膜的微观结构 | 第36-40页 |
| ·薄膜的生长机制讨论 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 硼掺杂金刚石上生长 PbTe 薄膜 | 第43-51页 |
| ·金刚石作为作为红外探测器的优点 | 第44页 |
| ·n-PbTe/p-diamon 异质结的制备 | 第44-45页 |
| ·硼掺杂金刚石薄膜的制备及处理 | 第44-45页 |
| ·PbTe 薄膜的生长 | 第45页 |
| ·PbTe 薄膜结构和性质的讨论与分析 | 第45-50页 |
| ·PbTe 薄膜的微观结构结构 | 第45-46页 |
| ·n-PbTe/p-diamond 异质结的 I-V 测试 | 第46-47页 |
| ·n-PbTe/p-diamond 异质结能带结构分析 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 全文总结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 中文摘要 | 第61-63页 |
| Abstract | 第63-64页 |
