| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第15-30页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第15-16页 |
| 1.2 热电理论 | 第16-18页 |
| 1.2.1 Seebeck效应 | 第16-17页 |
| 1.2.2 Peltier效应 | 第17页 |
| 1.2.3 Thomson效应 | 第17-18页 |
| 1.3 提高热电性能的方法 | 第18-24页 |
| 1.3.1 提高载流子浓度 | 第18-20页 |
| 1.3.2 增加载流子迁移率 | 第20页 |
| 1.3.3 能量过滤效应 | 第20-21页 |
| 1.3.4 共振能级提高态密度 | 第21-22页 |
| 1.3.5 降低偶极子效应 | 第22-23页 |
| 1.3.6 降低电子热导率 | 第23-24页 |
| 1.4 硫属化物热电材料的合成方法 | 第24-27页 |
| 1.4.1 水热法合成硫属化物热电材料 | 第24-25页 |
| 1.4.2 溶剂热法合成硫属化物热电材料 | 第25页 |
| 1.4.3 超声法合成硫属化物热电材料 | 第25-26页 |
| 1.4.4 电纺丝法合成硫属化物热电材料 | 第26页 |
| 1.4.5 模板法合成硫属化物热电材料 | 第26-27页 |
| 1.4.6 微波法合成硫属化物热电材料 | 第27页 |
| 1.5 课题主要研究内容 | 第27-30页 |
| 第2章 实验材料及测试方法 | 第30-35页 |
| 2.1 实验材料及仪器 | 第30页 |
| 2.1.1 主要化学试剂 | 第30页 |
| 2.1.2 主要实验仪器 | 第30页 |
| 2.2 材料制备方法 | 第30-31页 |
| 2.3 样品的成分及微观结构表征方法 | 第31-33页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第31-32页 |
| 2.3.2 场发射扫描电镜(FESEM) | 第32页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜(TEM) | 第32页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第32页 |
| 2.3.5 傅里叶-红外光谱(FT-IR) | 第32页 |
| 2.3.6 比表面积分析(BET) | 第32页 |
| 2.3.7 拉曼光谱分析(Raman) | 第32-33页 |
| 2.4 样品的电学性能测试 | 第33-35页 |
| 2.4.1 电导率测试 | 第33页 |
| 2.4.2 Seebeck系数测试 | 第33-35页 |
| 第3章 Bi_2Se_3纳米薄片的合成及其电输运性能 | 第35-45页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 Bi_2Se_3纳米薄片的制备 | 第35-36页 |
| 3.3 Bi_2Se_3纳米薄片的表征 | 第36-39页 |
| 3.3.1 Bi_2Se_3纳米薄片的微观结构 | 第36-38页 |
| 3.3.2 Bi_2Se_3纳米薄片的Raman 光谱 | 第38-39页 |
| 3.4 不同反应条件下合成单个样品所消耗的电能 | 第39-40页 |
| 3.5 Bi_2Se_3纳米薄片的形成机理 | 第40-42页 |
| 3.6 Bi_2Se_3纳米薄片的电输运性能 | 第42-44页 |
| 3.7 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 分级结构Bi_2Se_3微米棒的合成及电输运性能 | 第45-59页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 分级结构Bi_2Se_3微米棒的合成 | 第45-46页 |
| 4.3 分级结构Bi_2Se_3微米棒的表征 | 第46-50页 |
| 4.3.1 Se微米棒的XRD谱图和形貌 | 第46-48页 |
| 4.3.2 分级结构Bi_2Se_3微米棒的微观结构 | 第48-49页 |
| 4.3.3 分级结构Bi_2Se_3微米棒的Raman光谱 | 第49页 |
| 4.3.4 分级结构Bi_2Se_3微米棒的比表面积和孔径分布 | 第49-50页 |
| 4.4 分级结构Bi_2Se_3合成的影响因素 | 第50-51页 |
| 4.4.1 还原能力比较 | 第50页 |
| 4.4.2 可溶性淀粉的影响 | 第50-51页 |
| 4.5 分级结构Bi_2Se_3微米棒的形成机理 | 第51-56页 |
| 4.6 分级结构Bi_2Se_3微米棒的电输运性能 | 第56-58页 |
| 4.7 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 分级结构Bi_2Se_3叠片的合成及其电输运性能 | 第59-76页 |
| 5.1 引言 | 第59-60页 |
| 5.2 分级结构Bi_2Se_3叠片的合成 | 第60页 |
| 5.3 分级结构Bi_2Se_3叠片的表征 | 第60-64页 |
| 5.3.1 分级结构Bi_2Se_3叠片的XRD谱图和SEM照片 | 第60-61页 |
| 5.3.2 分级结构Bi_2Se_3叠片的微观结构 | 第61-62页 |
| 5.3.3 分级结构Bi_2Se_3叠片的Raman 光谱分析 | 第62-63页 |
| 5.3.4 分级结构Bi_2Se_3叠片的红外光谱分析 | 第63-64页 |
| 5.4 分级结构Bi_2Se_3叠片的形成机理 | 第64-70页 |
| 5.4.1 影响分级结构Bi_2Se_3叠片合成因素 | 第64-70页 |
| 5.5 分级结构Bi_2Se_3叠片的电学性能 | 第70-75页 |
| 5.5.1 烧结时间对分级结构Bi_2Se_3叠片微观结构的影响 | 第70-71页 |
| 5.5.2 分级结构Bi_2Se_3叠片的电输运性能 | 第71-75页 |
| 5.6 本章小结 | 第75-76页 |
| 第6章 Bi_2Se_(3-x)Te_x的合成及其电输运性能 | 第76-89页 |
| 6.1 引言 | 第76页 |
| 6.2 Bi_2Se_(3-x)Te_x的合成 | 第76-77页 |
| 6.3 Bi_2Se_(3-x)Te_x的表征 | 第77-81页 |
| 6.3.1 Bi_2Se_(3-x)Te_x的XRD谱图及SEM照片 | 第77-79页 |
| 6.3.2 Bi_2Se_(3-x)Te_xx的XPS分析 | 第79-80页 |
| 6.3.3 Bi_2Se_(3-x)Te_x的Raman光谱 | 第80-81页 |
| 6.3.4 Bi_2Se_(3-x)Te_x的微观结构 | 第81页 |
| 6.4 Bi_2Se_(3-x)Te_x的电输运性能 | 第81-88页 |
| 6.5 本章小结 | 第88-89页 |
| 第7章 分级结构Bi_2(Se,S)_3微米球的合成及其电输运性能 | 第89-104页 |
| 7.1 引言 | 第89页 |
| 7.2 分级结构Bi_2(Se,S)_3微米球的合成 | 第89-90页 |
| 7.3 分级结构Bi_2(Se,S)_3微米球的表征 | 第90-93页 |
| 7.3.1 分级结构Bi_2(Se,S)_3微米球的微观结构 | 第90-91页 |
| 7.3.2 分级结构Bi_2(Se,S)_3微米球的XPS分析 | 第91-92页 |
| 7.3.3 分级结构Bi_2(Se,S)_3微米球的比表面积及孔径分布 | 第92-93页 |
| 7.4 分级结构Bi_2(Se,S)_3微米球的形成机理 | 第93-102页 |
| 7.4.1 L-半胱氨酸对分级结构Bi_2(Se,S)_3微米球形貌的影响 | 第93-97页 |
| 7.4.2 酒石酸钠对分级结构Bi_2(Se,S)_3微米球形貌的影响 | 第97-100页 |
| 7.4.3 反应时间对分级结构Bi_2(Se,S)_3微米球形貌的影响 | 第100-102页 |
| 7.5 分级结构Bi_2(Se,S)_3微米球的电输运性能 | 第102-103页 |
| 7.6 本章小结 | 第103-104页 |
| 结论 | 第104-105页 |
| 创新点 | 第105页 |
| 展望 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-126页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第126-129页 |
| 致谢 | 第129-130页 |
| 个人简历 | 第130页 |
