| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 APD 的发展概述 | 第10-16页 |
| 1.1.1 APD 发展历史 | 第10-12页 |
| 1.1.2 APD 结构的演变 | 第12-14页 |
| 1.1.3 APD 的工作方式 | 第14-16页 |
| 1.2 硅基 APD 的研究现状及意义 | 第16-20页 |
| 1.2.1 硅基 APD 的研究意义 | 第16-17页 |
| 1.2.2 硅基 APD 的研究现状 | 第17-20页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第20-22页 |
| 第2章 APD 的基本理论 | 第22-36页 |
| 2.1 APD 的物理基础 | 第22-31页 |
| 2.1.1 碰撞离化理论 | 第22-24页 |
| 2.1.2 PN 结击穿 | 第24-26页 |
| 2.1.3 APD 的工作原理与雪崩倍增 | 第26-31页 |
| 2.2 APD 的性能参数 | 第31-34页 |
| 2.2.1 量子效率与光谱响应 | 第31-32页 |
| 2.2.2 暗电流 | 第32-33页 |
| 2.2.3 响应速度 | 第33-34页 |
| 2.2.4 APD 的噪声 | 第34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 第3章 Si APD 等效电路模型 | 第36-46页 |
| 3.1 Si APD 等效电路模型的建立 | 第36-42页 |
| 3.1.1 APD 内部电场的分布 | 第36-38页 |
| 3.1.2 APD 的雪崩增益 | 第38-39页 |
| 3.1.3 等效电路模型的建立 | 第39-42页 |
| 3.2 Si APD 的模拟结果与讨论 | 第42-45页 |
| 3.2.1 APD 倍增层厚度与电场强度 | 第42-43页 |
| 3.2.2 APD 吸收区厚度与响应特性 | 第43-45页 |
| 3.3 小结 | 第45-46页 |
| 第4章 新型台面结构 Si APD 设计与仿真 | 第46-64页 |
| 4.1 Si APD 的结构设计 | 第46-48页 |
| 4.1.1 平面结构 Si APD | 第46-47页 |
| 4.1.2 新型台面结构 Si APD | 第47-48页 |
| 4.2 Si APD 的仿真结果与讨论 | 第48-63页 |
| 4.2.1 Si APD 模拟程序的设置 | 第48-51页 |
| 4.2.2 平面结构掺杂仿真结果与讨论 | 第51-55页 |
| 4.2.3 台面结构 Si APD 的仿真结果与讨论 | 第55-63页 |
| 4.3 小结 | 第63-64页 |
| 第5章 Si APD 离子注入及退火工艺的模拟研究 | 第64-72页 |
| 5.1 离子注入工艺研究 | 第64-67页 |
| 5.1.1 离子注入工艺介绍 | 第64-65页 |
| 5.1.2 离子注入工艺模拟 | 第65-67页 |
| 5.2 离子注入后退火工艺的研究 | 第67-70页 |
| 5.3 小结 | 第70-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82页 |