| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 GaN 基 LED 的发展史 | 第9-10页 |
| 1.3 GaN 材料的基本性质 | 第10-12页 |
| 1.3.1 GaN 的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.3.2 GaN 的物理化学性质 | 第11页 |
| 1.3.3 GaN 的能带结构和光学特性 | 第11-12页 |
| 1.4 GaN 薄膜的生长设备及生长技术 | 第12-17页 |
| 1.4.1 外延生长 | 第12-13页 |
| 1.4.2 MOCVD 设备及生长技术简介 | 第13-15页 |
| 1.4.3 GaN 基 LED 薄膜生长衬底的选择 | 第15-17页 |
| 1.5 GaN 基 LED 的芯片结构 | 第17-18页 |
| 1.6 Si 衬底 GaN 基垂直结构 LED 的制备 | 第18-19页 |
| 1.7 本论文的行文安排 | 第19-20页 |
| 第2章 金属在不同缺陷密度的硅衬底 GaN 基 LED 薄膜中的扩散 | 第20-35页 |
| 2.1 引言 | 第20-21页 |
| 2.2 实验 | 第21-29页 |
| 2.2.1 高分辨率 X 射线衍射仪（HRXRD） | 第21-24页 |
| 2.2.2 二次离子质谱仪（SIMS） | 第24-25页 |
| 2.2.3 样品的制备与测试 | 第25-29页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第29-34页 |
| 2.3.1 Ag 在外延薄膜中的扩散 | 第29-32页 |
| 2.3.2 Pt 在外延薄膜中的扩散 | 第32-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 粘结材料对硅衬底 GaN 基 LED 薄膜转移过程中应力的影响 | 第35-45页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 实验 | 第36-39页 |
| 3.2.1 微区拉曼光谱（Micro-Raman） | 第36-37页 |
| 3.2.2 光致发光谱（PL） | 第37-38页 |
| 3.2.3 样品的制备与测试 | 第38-39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-43页 |
| 3.3.1 外延薄膜应力的释放 | 第39-42页 |
| 3.3.2 外延薄膜应力的分布 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 GaN 基 LED I-V 特性及理想因子的研究 | 第45-59页 |
| 4.1 引言 | 第45-48页 |
| 4.1.1 外量子效率（EQE）简介与测试方法 | 第45-46页 |
| 4.1.2 I-V 特性及理想因子简介与测试方法 | 第46-48页 |
| 4.2 实验 | 第48-50页 |
| 4.2.1 变温电致发光（VTEL） | 第48-49页 |
| 4.2.2 样品的制备与测试 | 第49-50页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第50-57页 |
| 4.3.1 I-V 特性的比较 | 第50-52页 |
| 4.3.2 理想因子与注入强度以及温度的关系 | 第52-55页 |
| 4.3.3 外量子效率的比较 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 结论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第70页 |
