| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题研究的意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内主要研究成果 | 第10-11页 |
| 1.3 铝栅 CMOS 工艺 | 第11-12页 |
| 1.4 高温 CMOS 集成电路设计的限制因素 | 第12页 |
| 1.5 CMOS 运算放大器的特点 | 第12-14页 |
| 1.6 本文章节安排 | 第14-15页 |
| 2 高温 CMOS 模拟集成电路的设计规则 | 第15-27页 |
| 2.1 零温度系数点下的I DS | 第16-19页 |
| 2.2 零温度系数点的衬底浓度 | 第19-20页 |
| 2.3 零温度系数点的栅源电压 | 第20-22页 |
| 2.4 零温度系数点的跨导 | 第22-24页 |
| 2.5 高温 CMOS 模拟集成电路的设计规则 | 第24-27页 |
| 3 高温 CMOS 运算放大器设计 | 第27-41页 |
| 3.1 高温 CMOS 运算放大器的输入级 | 第27-34页 |
| 3.1.1 输入级电路的失调电压U os | 第28-30页 |
| 3.1.2 构成差分对输入的M 1与M 2的直流转换特性 | 第30-31页 |
| 3.1.3 输入级电路的增益AV | 第31-32页 |
| 3.1.4 输入级电路的共模抑制比 CMRR | 第32-34页 |
| 3.2 高温 CMOS 运算放大器的中间级 | 第34页 |
| 3.3 高温 CMOS 运算放大器的偏置电路 | 第34-36页 |
| 3.4 高温 CMOS 运算放大器的输出级 | 第36-37页 |
| 3.5 高温 CMOS 运算放大器的频率补偿 | 第37-39页 |
| 3.6 高温 CMOS 运算放大器的设计与实现 | 第39-41页 |
| 4 高温运算放大器模拟仿真 | 第41-44页 |
| 4.1 运算放大电路的直流特性仿真 | 第41页 |
| 4.2 运算放大电路交流小信号特性仿真 | 第41-43页 |
| 4.3 运算放大电路的瞬态特性仿真 | 第43-44页 |
| 5 高温运算放大器的工艺和版图设计 | 第44-52页 |
| 5.1 版图设计原则 | 第44-49页 |
| 5.1.1 器件版图匹配 | 第44-47页 |
| 5.1.2 大尺寸器件的结构 | 第47-48页 |
| 5.1.3 信号走线 | 第48-49页 |
| 5.2 保护环设计 | 第49页 |
| 5.3 静电释放保护电路 | 第49页 |
| 5.4 DRC 和 LVS 规则检查 | 第49-50页 |
| 5.5 掩模版层次 | 第50页 |
| 5.6 部分版图 | 第50-52页 |
| 6 封装及测试 | 第52-54页 |
| 6.1 封装 | 第52页 |
| 6.2 测试 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第58页 |