| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 多晶硅生产工艺 | 第9-13页 |
| 1.1.1 传统多晶硅生产工艺 | 第9-10页 |
| 1.1.2 现代多晶硅生产工艺 | 第10-13页 |
| 1.2 改良西门子多晶硅生产工艺 | 第13-18页 |
| 1.3 尾气干法回收工艺 | 第18-20页 |
| 1.4 氢气质量对多晶硅产品质量的影响 | 第20-21页 |
| 1.4.1 电解纯氢的质量 | 第20-21页 |
| 1.4.2 干法回收氢气的质量 | 第21页 |
| 1.4.3 氢气质量对多晶硅产品质量的影响 | 第21页 |
| 1.5 论文研究意义和主要内容 | 第21-23页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第21-22页 |
| 1.5.2 研究的主要内容 | 第22-23页 |
| 第2章 H_2中N_2、CO、CO_2、CH_4的检测 | 第23-31页 |
| 2.1 试验仪器 | 第23-25页 |
| 2.2 TCD检测N_2、CO、CO_2、CH_4 | 第25-26页 |
| 2.2.1 试验条件 | 第25页 |
| 2.2.2 试验方法 | 第25-26页 |
| 2.2.3 试验结果分析 | 第26页 |
| 2.3 FID检测CO、CO_2、CH_4 | 第26-27页 |
| 2.3.1 试验条件 | 第26页 |
| 2.3.2 试验方法 | 第26-27页 |
| 2.3.3 试验结果分析 | 第27页 |
| 2.4 H_2中N_2、CO、CO_2、CH_4检测方法优化 | 第27-31页 |
| 第3章 H_2中氯硅烷组分的检测 | 第31-43页 |
| 3.1 方法原理 | 第31-33页 |
| 3.1.1 计算二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅的响应系数 | 第32页 |
| 3.1.2 样品检测及计算 | 第32-33页 |
| 3.1.3 气路流程设计及说明 | 第33页 |
| 3.2 试验仪器及条件 | 第33-34页 |
| 3.2.1 试验仪器 | 第33-34页 |
| 3.2.2 试验条件 | 第34页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第34-43页 |
| 3.3.1 二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅的定性分析 | 第34-36页 |
| 3.3.2 二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅的响应系数 | 第36-39页 |
| 3.3.3 H_2中的氯硅烷组分含量 | 第39-42页 |
| 3.3.4 讨论 | 第42-43页 |
| 第4章 H_2中痕量B、P元素及金属杂质的捕集与分析 | 第43-67页 |
| 4.1 气体中B、P元素及金属杂质的捕集方法 | 第43-44页 |
| 4.2 试验原理 | 第44页 |
| 4.3 试验仪器及试剂 | 第44-51页 |
| 4.3.1 电感耦合等离子质谱仪(ICP-MS) | 第44-47页 |
| 4.3.2 洗气瓶 | 第47-48页 |
| 4.3.3 湿式气体流量计 | 第48-49页 |
| 4.3.4 超纯水器 | 第49-50页 |
| 4.3.5 超高纯硝酸 | 第50-51页 |
| 4.4 试验方案及结果讨论 | 第51-67页 |
| 4.4.1 试验方案 | 第51-52页 |
| 4.4.2 结果讨论 | 第52-65页 |
| 4.4.3 气体吸收方法的干扰因素及局限性 | 第65-67页 |
| 第5章 结论与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 结论 | 第67页 |
| 5.2 展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
