| 致谢 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 1 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 硅光子学的发展 | 第13-15页 |
| 1.1.1 硅光子学的研究内容——光互连 | 第13-14页 |
| 1.1.2 硅光子学的未来发展方向 | 第14-15页 |
| 1.2 硅基锗材料的性质及外延生长 | 第15-19页 |
| 1.2.1 锗的性质 | 第15-17页 |
| 1.2.2 锗膜的外延生长 | 第17-19页 |
| 1.3 硅基锗光电探测器的发展现状 | 第19-23页 |
| 1.3.1 硅基锗近红外光电探测器的比较 | 第19-20页 |
| 1.3.2 硅基锗MSM探测器的研究方向 | 第20-23页 |
| 1.4 本论文的研究工作 | 第23-25页 |
| 2 硅基锗MSM光电探测器的理论基础 | 第25-43页 |
| 2.1 MSM光电探测器基本理论 | 第25-32页 |
| 2.1.1 MSM光电探测器工作原理 | 第25-30页 |
| 2.1.2 MSM光电探测器的性能参数 | 第30-31页 |
| 2.1.3 MSM光电探测器的器件结构参数对性能参数的影响 | 第31-32页 |
| 2.2 硅基MSM光电探测器的暗电流抑制 | 第32-36页 |
| 2.2.1 暗电流产生机理 | 第32-33页 |
| 2.2.2 非对称叉指电极抑制暗电流的机理 | 第33-35页 |
| 2.2.3 非对称面电极结构抑制暗电流机理 | 第35-36页 |
| 2.3 表面等离子体应用于MSM光电探测器 | 第36-42页 |
| 2.3.1 表面等离子体的概念 | 第36-37页 |
| 2.3.2 金属-介质界面激发表面等离子体 | 第37-40页 |
| 2.3.3 表面等离子体增强器件性能的原理 | 第40-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 3 硅基锗MSM光电探测器的仿真设计及制备测试 | 第43-56页 |
| 3.1 MSM光电探测器的仿真设计 | 第43-49页 |
| 3.1.1 仿真模型建立 | 第43-44页 |
| 3.1.2 非对称叉指电极MSM光电探测器的基础仿真 | 第44-47页 |
| 3.1.3 非对称面电极MSM光电探测器的基础仿真 | 第47-49页 |
| 3.2 器件制备工艺流程 | 第49-52页 |
| 3.2.1 实验流程 | 第49-50页 |
| 3.2.2 实验步骤 | 第50-52页 |
| 3.3 MSM光电探测器的实验测试 | 第52-54页 |
| 3.3.1 MSM器件形貌表征 | 第52-53页 |
| 3.3.2 暗电流特性测试 | 第53页 |
| 3.3.3 光谱响应测试系统 | 第53-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 4 硅基锗MSM光电探测器的实验结果及讨论 | 第56-72页 |
| 4.1 对称叉指电极MSM光电探测器 | 第56-62页 |
| 4.1.1 对称叉指电极MSM的形貌表征 | 第56-58页 |
| 4.1.2 对称叉指电极硅基锗MSM的I-V特性 | 第58-62页 |
| 4.2 非对称叉指电极MSM光电探测器 | 第62-65页 |
| 4.2.1 非对称叉指电极MSM的形貌表征 | 第62-63页 |
| 4.2.2 非对称电极硅MSM的I-V特性 | 第63-65页 |
| 4.3 非对称面电极MSM光电探测器 | 第65-70页 |
| 4.3.1 非对称面电极MSM的形貌表征 | 第65-66页 |
| 4.3.2 非对称面电极硅基锗MSM的I-V特性 | 第66-69页 |
| 4.3.3 非对称面电极硅基锗MSM的光谱响应 | 第69-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 5 表面等离子体增强的硅基锗MSM光电探测器 | 第72-82页 |
| 5.1 模型建立 | 第72-74页 |
| 5.2 结构参数对表面等离子共振增强型MSM器件的影响 | 第74-78页 |
| 5.2.1 光栅周期及光栅厚度对器件性能的影响 | 第74-76页 |
| 5.2.2 光栅间距对器件性能的影响 | 第76-77页 |
| 5.2.3 锗的厚度对器件性能的影响 | 第77-78页 |
| 5.3 设计结果及讨论 | 第78-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 6 总结与展望 | 第82-85页 |
| 6.1 工作总结 | 第82-84页 |
| 6.2 工作展望 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-90页 |
| 作者简历 | 第90页 |
