基于氮氧化硅（SiON）的级联双环光波导传感器研究
| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1. 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 光纤传感器 | 第11-13页 |
| 1.3 表面等离子波(SPR)传感器 | 第13-14页 |
| 1.4 基于倏逝波的平面光波导传感器 | 第14-17页 |
| 1.5 本论文主要内容及创新点 | 第17-20页 |
| 2. 环形谐振腔基本理论分析 | 第20-34页 |
| 2.1 环形谐振腔的基本结构 | 第20-21页 |
| 2.2 环形谐振腔的基本参量 | 第21-25页 |
| 2.2.1 谐振方程 | 第21-22页 |
| 2.2.2 谐振环半径 | 第22页 |
| 2.2.3 自由光谱范围FSR | 第22-23页 |
| 2.2.4 品质因子和精细度 | 第23-24页 |
| 2.2.5 色散方程 | 第24-25页 |
| 2.3 环形谐振腔的传输矩阵分析方法 | 第25-33页 |
| 2.3.1 振幅耦合方程 | 第25-26页 |
| 2.3.2 单环谐振器 | 第26-29页 |
| 2.3.3 串联双环滤波器 | 第29-31页 |
| 2.3.4 并联双环滤波器 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 3. 氮氧化硅基双环谐振腔传感器的设计及分析 | 第34-55页 |
| 3.1 引言 | 第34-36页 |
| 3.2 氮氧化硅基级联双环传感器的理论设计及分析 | 第36-42页 |
| 3.2.1 波导结构设计 | 第36-39页 |
| 3.2.2 传感原理及波导灵敏度分析 | 第39-42页 |
| 3.3 氮氧化硅基级联双环传感器的传输特性分析 | 第42-44页 |
| 3.4 氮氧化硅基级联双环传感器的探测方式分析 | 第44-54页 |
| 3.4.1 基于波长的探测方式分析 | 第44-46页 |
| 3.4.2 基于光强度的探测方式分析 | 第46-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 4. 芯片制作工艺及实验研究 | 第55-71页 |
| 4.1 氮氧化硅的PECVD生长工艺研究 | 第55-58页 |
| 4.2 芯片制作工艺 | 第58-66页 |
| 4.2.1 光刻 | 第58-62页 |
| 4.2.2 刻蚀及去胶 | 第62-64页 |
| 4.2.3 二次光刻(套刻) | 第64-65页 |
| 4.2.4 上包层沉积及剥离 | 第65-66页 |
| 4.3 实验测试平台的搭建及测试分析 | 第66-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 5. 总结与展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 附录 | 第77页 |
| 作者简历 | 第77页 |
| 成果附录 | 第77页 |
