| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-23页 |
| 1.1 面向平板显示的薄膜晶体管 | 第8-11页 |
| 1.1.1 平板显示技术简介 | 第8-9页 |
| 1.1.2 薄膜晶体管介绍 | 第9-11页 |
| 1.2 低温多晶硅 TFT 概述 | 第11-14页 |
| 1.3 晶界势垒的研究背景和现状 | 第14-15页 |
| 1.4 实验样品制备及测试平台简介 | 第15-19页 |
| 1.4.1 实验样品的制备工艺 | 第15-17页 |
| 1.4.2 测试平台简介 | 第17-19页 |
| 1.5 本论文的主要工作及结构安排 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 晶界势垒研究现状及表面势分析方法 | 第23-36页 |
| 2.1 多晶半导体 TFT 的晶界势垒研究现状 | 第23-28页 |
| 2.2 基于表面势的分析方法概述 | 第28-32页 |
| 2.3 朗伯函数（Lambert W function） | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 非掺杂多晶半导体 TFT 晶界势垒解析模型 | 第36-64页 |
| 3.1 晶界势垒解析模型的推导 | 第36-43页 |
| 3.2 解析模型和数值计算的比较 | 第43-45页 |
| 3.3 解析模型的参数分析 | 第45-49页 |
| 3.4 解析模型和势垒实验值的比较 | 第49-54页 |
| 3.5 解析模型和传统模型的比较 | 第54-58页 |
| 3.6 解析模型在 ZnO TFT 中的应用 | 第58-60页 |
| 3.7 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第四章 结论及未来工作 | 第64-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |