| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 LED的发展历程 | 第12-13页 |
| 1.3 GaN材料性质 | 第13-16页 |
| 1.3.1 GaN的结构特性 | 第13-14页 |
| 1.3.2 GaN的光电特性 | 第14-15页 |
| 1.3.3 GaN的极化特性 | 第15页 |
| 1.3.4 GaN的其他特性 | 第15-16页 |
| 1.4 图形化蓝宝石衬底简介 | 第16-20页 |
| 1.4.1 衬底类别 | 第16-18页 |
| 1.4.2 图形化蓝宝石衬底 | 第18-20页 |
| 1.5 图形化蓝宝石衬底GaN基LED研究进展 | 第20-29页 |
| 1.5.1 衬底图案的演变历程 | 第20-25页 |
| 1.5.2 图形化蓝宝石衬底GaN基LED的设计 | 第25-27页 |
| 1.5.3 图形化蓝宝石衬底GaN基LED展望 | 第27-29页 |
| 1.6 课题的研究意义及研究内容 | 第29-32页 |
| 1.6.1 研究意义 | 第29-30页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第30-32页 |
| 第二章 实验准备及表征方法 | 第32-41页 |
| 2.1 ICP刻蚀系统及工作原理 | 第32-34页 |
| 2.1.1 ICP刻蚀系统 | 第32-33页 |
| 2.1.2 ICP工作原理 | 第33-34页 |
| 2.2 MOCVD系统及外延薄膜生长过程 | 第34-36页 |
| 2.2.1 MOCVD外延系统 | 第34-35页 |
| 2.2.2 MOCVD外延薄膜生长过程 | 第35-36页 |
| 2.3 图形化蓝宝石衬底LED外延薄膜的制备流程 | 第36-37页 |
| 2.4 测试表征手段 | 第37-41页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜 | 第38页 |
| 2.4.2 透射电子显微镜 | 第38页 |
| 2.4.3 原子力显微镜 | 第38页 |
| 2.4.4 X射线衍射 | 第38-39页 |
| 2.4.5 实时干涉曲线 | 第39页 |
| 2.4.6 拉曼光谱 | 第39页 |
| 2.4.7 电致发光 | 第39-40页 |
| 2.4.8 光致发光 | 第40-41页 |
| 第三章 图形化蓝宝石衬底上GaN外延的形核机理 | 第41-52页 |
| 3.1 GaN缓冲层形核过程 | 第41-43页 |
| 3.2 GaN 3D岛状生长过程 | 第43-45页 |
| 3.3 GaN薄膜愈合过程 | 第45-48页 |
| 3.4 图形化蓝宝石衬底上GaN薄膜外延机理 | 第48-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 图形化蓝宝石衬底上LED外延结构的微观缺陷控制 | 第52-59页 |
| 4.1 LED外延结构的发光性能研究 | 第52-53页 |
| 4.2 LED外延结构的缺陷分布 | 第53-57页 |
| 4.3 图形化蓝宝石衬底上LED外延结构的缺陷控制机理 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 基于大尺寸图案的高效PSS-LED的设计及制备 | 第59-72页 |
| 5.1 GaN基PSS-LED芯片的光学模拟 | 第59-64页 |
| 5.1.1 光线追迹原理 | 第59-60页 |
| 5.1.2 基于Trace Pro的PSS-LED模拟方法 | 第60-62页 |
| 5.1.3 PSS-LED模拟方法验证 | 第62-64页 |
| 5.2 大尺寸图案PSS出光性能的探讨 | 第64-65页 |
| 5.3 大尺寸图案GaN基PSS-LED的制备与分析 | 第65-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-86页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第86-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 附件 | 第90页 |
