| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物材料 | 第12-13页 |
| 1.3 半导体激光器工作原理 | 第13-15页 |
| 1.4 GaN基半导体激光器的所存问题 | 第15-16页 |
| 1.5 论文框架 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 第二章 GaN基半导体激光器结构研究方法 | 第21-29页 |
| 2.1 PICS3D简介 | 第21-23页 |
| 2.2 基础物理模型 | 第23-27页 |
| 2.2.1 漂移-扩散模型 | 第23-24页 |
| 2.2.2 量子阱模型 | 第24-25页 |
| 2.2.3 光波导理论模型 | 第25-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-29页 |
| 第三章 具有阶梯状垒层的电注入式AlGaN基紫外边发射激光器研究 | 第29-43页 |
| 3.1 GaN基边发射激光器 | 第29-32页 |
| 3.2 具有阶梯状垒层的AlGaN基紫外边发射激光器研究 | 第32-39页 |
| 3.2.1 模型结构和参数设置 | 第32-34页 |
| 3.2.2 模拟结果分析和讨论 | 第34-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-43页 |
| 第四章 不同腔长的电注入式GaN基VCSEL输出特性研究 | 第43-55页 |
| 4.1 GaN基垂直腔面发射激光器 | 第43-46页 |
| 4.2 不同腔长的电注入式GaN基VCSEL输出特性研究 | 第46-51页 |
| 4.2.1 模型结构 | 第46-47页 |
| 4.2.2 量子阱的材料增益 | 第47-48页 |
| 4.2.3 输出特性分析 | 第48-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 附录硕士期间发表论文 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
