| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 缩写编号以及符号对应表 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 前言 | 第8-9页 |
| 1.2 液晶显示技术的发展史 | 第9-12页 |
| 1.2.1 液晶的发现与应用 | 第9-10页 |
| 1.2.2 TFT技术的发展 | 第10-12页 |
| 1.3 TFT-LCD的主要特点 | 第12-13页 |
| 1.4 液晶显示面板尺寸的发展 | 第13-14页 |
| 1.5 本论文的研究内容及意义 | 第14-15页 |
| 第二章 TFT的结构、工作原理与驱动 | 第15-28页 |
| 2.1 TFT的结构 | 第15-20页 |
| 2.1.1 反交叠型a-Si:H TFT结构 | 第15-18页 |
| 2.1.2 交叠型a-Si:H TFT结构 | 第18页 |
| 2.1.3 短沟道a-Si:H TFT | 第18-19页 |
| 2.1.4 共面型a-Si:H TFT结构 | 第19-20页 |
| 2.2 TFT的工作原理 | 第20-22页 |
| 2.2.1 线性区 | 第20-21页 |
| 2.2.2 饱和区 | 第21-22页 |
| 2.3 TFT结构中功能薄膜的特点 | 第22-26页 |
| 2.3.1 氢化非晶硅薄膜的特点 | 第22-24页 |
| 2.3.2 SiNx薄膜的特点 | 第24-26页 |
| 2.3.3 磷掺杂的氢化非晶硅薄膜的特点 | 第26页 |
| 2.4 TFT-LCD的驱动原理 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小节 | 第27-28页 |
| 第三章 TFT LCD显示原理及四次光刻掩模设计 | 第28-38页 |
| 3.1 TFT LCD基本结构与显示原理 | 第28-31页 |
| 3.1.1 TFT LCD基本结构 | 第28-29页 |
| 3.1.2 TFT LCD显示原理 | 第29-31页 |
| 3.2 光刻工艺技术的发展 | 第31-37页 |
| 3.2.1 五次光刻工艺技术 | 第32-33页 |
| 3.2.2 四次光刻掩模技术设计 | 第33-37页 |
| 3.3 本章小节 | 第37-38页 |
| 第四章 四次光刻技术的工艺开发 | 第38-50页 |
| 4.1 四次光刻技术的工艺开发流程 | 第38-45页 |
| 4.2 四次光刻技术工艺开发中的案例研究 | 第45-48页 |
| 4.2.1 Slit的设计对光刻胶的影响 | 第45-46页 |
| 4.2.2 Active Tail残留的解决 | 第46-47页 |
| 4.2.3 源漏金属残留 | 第47-48页 |
| 4.2.4 四次光刻技术工艺开发中的TFT电学特性测试 | 第48页 |
| 4.3 本章小节 | 第48-50页 |
| 第五章 总结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 致谢 | 第55页 |