| 摘要 | 第2-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 等离子天线基本理论与关键部件 | 第8-12页 |
| 1.1.1 等离子体特点概述 | 第8-9页 |
| 1.1.2 等离子天线特点与概况 | 第9-10页 |
| 1.1.3 等离子激励与维持技术研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2 全光等离子天线的工作机理与关键部件 | 第12-15页 |
| 1.2.1 全光等离子天线基本概念 | 第12-13页 |
| 1.2.2 准分子灯概述 | 第13-14页 |
| 1.2.3 准分子灯在全光等离子天线中的应用 | 第14-15页 |
| 1.3 高压高频短脉冲源研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 本文的工作与研究意义 | 第17-18页 |
| 第二章 介质阻挡放电研究与短脉冲源指标提出 | 第18-41页 |
| 2.1 介质阻挡放电概述 | 第18-19页 |
| 2.2 DBD 放电的等效电路模型 | 第19-20页 |
| 2.3 电容器的场强分布及边缘效应研究 | 第20-21页 |
| 2.4 DBD 放电参数及功率计算 | 第21-28页 |
| 2.4.1 电荷-电压法计算放电功率 | 第21-25页 |
| 2.4.2 影响VUV 辐射的几种参数 | 第25-28页 |
| 2.5 短脉冲源负载等效电容推导与指标提出 | 第28-29页 |
| 2.6 DBD 放电击穿电压计算方法研究 | 第29-34页 |
| 2.6.1 传统的击穿电压计算方法 | 第29-30页 |
| 2.6.2 现有的击穿电压计算方法 | 第30-32页 |
| 2.6.3 计入边缘效应的DBD 放电击穿电压计算方法 | 第32-33页 |
| 2.6.4 考虑气压影响的击穿电压说明 | 第33-34页 |
| 2.7 DBD 放电现象分析 | 第34-35页 |
| 2.8 短脉冲源系统延时性能指标分析 | 第35-40页 |
| 2.8.1 准分子的激发与辐射响应时间 | 第35-38页 |
| 2.8.2 光致电离的响应时间 | 第38-39页 |
| 2.8.3 全光等离子系统响应时间 | 第39-40页 |
| 2.9 短脉冲源系统需求指标 | 第40页 |
| 2.10 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 短脉冲源方案研究 | 第41-57页 |
| 3.1 基于固态高压开关的短脉冲源研制方案 | 第41-42页 |
| 3.1.1 方案提出 | 第41页 |
| 3.1.2 方案横向类比验证 | 第41-42页 |
| 3.2 基于固态高压开关的短脉冲源系统原理 | 第42-45页 |
| 3.3 系统高压性能指标实现 | 第45-47页 |
| 3.4 系统高频短脉冲实现 | 第47-56页 |
| 3.4.1 单路开关负载电路方案研究 | 第48-49页 |
| 3.4.2 源端电阻损耗情况分析 | 第49-50页 |
| 3.4.3 MOSFET 极间电容的研究分析 | 第50-55页 |
| 3.4.4 多路开关并联方案研究 | 第55-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 短脉冲源实验研究 | 第57-67页 |
| 4.1 短脉冲源系统实验整体设计 | 第57页 |
| 4.2 短脉冲源控制信号发生器的设计与实现 | 第57-62页 |
| 4.2.1 多路控制信号发生器设计 | 第57-58页 |
| 4.2.2 控制信号发生器硬件实现 | 第58-61页 |
| 4.2.3 控制信号发生器电路仿真与测试 | 第61-62页 |
| 4.3 实验系统电磁兼容性分析 | 第62-64页 |
| 4.3.1 开关模块的内部分析 | 第62-63页 |
| 4.3.2 开关模块电磁兼容性注意事项 | 第63-64页 |
| 4.4 方案的实验验证 | 第64-66页 |
| 4.4.1 50V 低压实验验证 | 第64页 |
| 4.4.2 500V 中压实验验证 | 第64-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第67页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读学位期间发表的论文及专利 | 第73-75页 |