| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 传统Ge/Si量子点的生长及研究现状 | 第10-13页 |
| 1.3 半导体量子点/石墨烯复合结构 | 第13-17页 |
| 1.3.1 石墨烯的性质 | 第13-14页 |
| 1.3.2 半导体量子点/石墨烯复合结构光电探测器 | 第14-17页 |
| 1.4 本论文的研究工作 | 第17-18页 |
| 第二章 实验仪器和表征方法 | 第18-26页 |
| 2.1 离子束溅射设备的基本结构及原理 | 第18-20页 |
| 2.2 样品表征方法 | 第20-25页 |
| 2.2.1 原子力显微镜(AFM) | 第20-21页 |
| 2.2.2 Raman光谱法 | 第21-23页 |
| 2.2.3 光致发光谱(PL) | 第23-24页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第24-25页 |
| 2.3 Materials Studio软件介绍 | 第25-26页 |
| 第三章 石墨烯表面离子束溅射Ge量子点的生长研究 | 第26-41页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 CVD石墨烯向SiO_2/Si衬底的转移 | 第26-28页 |
| 3.3 室温下石墨烯/SiO_2表面上Ge的沉积 | 第28-32页 |
| 3.3.1 表面生长形貌分析 | 第28-30页 |
| 3.3.2 拉曼光谱结果及分析 | 第30-32页 |
| 3.4 高温下石墨烯/SiO_2表面Ge的沉积 | 第32-37页 |
| 3.4.1 实验参数设计 | 第32页 |
| 3.4.2 实验结果分析 | 第32-37页 |
| 3.5 室温下Ge岛成核几率分析(Zinsmeister理论) | 第37-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 Ge在石墨烯表面的吸附 | 第41-49页 |
| 4.0 引言 | 第41页 |
| 4.1 密度泛函理论基本原理 | 第41-42页 |
| 4.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第41-42页 |
| 4.1.2 Kohn-Sham方程 | 第42页 |
| 4.2 计算方法 | 第42-44页 |
| 4.3 结果及讨论 | 第44-47页 |
| 4.3.1 不同覆盖度石墨烯上Ge的吸附 | 第44-46页 |
| 4.3.2 差分电荷密度的计算及定性分析 | 第46-47页 |
| 4.3.3 石墨烯表面Ge形貌预测 | 第47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 SiO_2/Si衬底Ge量子点/石墨烯复合结构红外探测性能及表征 | 第49-59页 |
| 5.1 引言 | 第49页 |
| 5.2 器件制备及表征 | 第49-52页 |
| 5.2.1 器件的制备 | 第49-51页 |
| 5.2.2 器件光电性能表征 | 第51-52页 |
| 5.3 器件的光电性能 | 第52-58页 |
| 5.3.1 Ge量子点与石墨烯之间的载流子转移 | 第52-54页 |
| 5.3.2 Ge量子点/石墨烯FET光电响应机制 | 第54-55页 |
| 5.3.3 不同栅压对Ge量子点/石墨烯FET的光电调控 | 第55-56页 |
| 5.3.4 Ge量子点/石墨烯FET响应率预测模型(LP-R模型) | 第56-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 附录 硕士学位期间发表的文章及参与的项目 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
