| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 金属氧化物半导体发展背景和发展现状 | 第10-13页 |
| 1.3 非晶IGZO材料基本性质 | 第13-16页 |
| 1.4 非晶IGZO TFT的应用前景与研究现状 | 第16-17页 |
| 1.5 非晶IGZO SBD的应用前景与研究现状 | 第17-18页 |
| 1.6 本论文主要研究内容 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-25页 |
| 第二章 a-IGZO TFTs变温条件下栅压稳定性研究 | 第25-39页 |
| 2.1 研究背景 | 第25-26页 |
| 2.2 a-IGZO TFTs器件的制备及电学特性 | 第26-29页 |
| 2.3 a-IGZO TFTs变温条件下栅压稳定性 | 第29-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第三章 a-IGZO SBDs负偏压条件下电学稳定性研究 | 第39-51页 |
| 3.1 研究背景 | 第39-40页 |
| 3.2 a-IGZO SBDs的制备及电学特性 | 第40-41页 |
| 3.3 a-IGZO SBDs负偏压条件下电学稳定性 | 第41-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第四章 结论与展望 | 第51-53页 |
| 4.1 主要结论 | 第51-52页 |
| 4.2 研究展望 | 第52-53页 |
| 发表论文目录 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
