| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体光催化制氢的原理 | 第11-12页 |
| 1.3 半导体光催化剂 | 第12-14页 |
| 1.3.1 无机半导体光催化剂 | 第12-13页 |
| 1.3.2 有机半导体光催化剂 | 第13-14页 |
| 1.4 高通量筛选技术 | 第14-17页 |
| 1.4.1 高通量技术的发展 | 第14-15页 |
| 1.4.2 高通量筛选方法的反应器 | 第15-16页 |
| 1.4.3 高通量筛选方法的检测手段 | 第16-17页 |
| 1.5 本文研究的目的和内容 | 第17-20页 |
| 第2章 实验部分 | 第20-36页 |
| 2.1 高通量反应芯片的制备 | 第20-24页 |
| 2.1.1 主要实验试剂 | 第20-21页 |
| 2.1.2 主要实验仪器 | 第21-22页 |
| 2.1.3 反应芯片的制备 | 第22-24页 |
| 2.2 催化剂库的建立 | 第24-28页 |
| 2.2.1 纳米材料的碳化氮(g-C_3N_4)的制备 | 第24页 |
| 2.2.2 纳米g-C_3N_4的导入 | 第24-25页 |
| 2.2.3 金属盐的打印 | 第25-28页 |
| 2.3 M_3S/g-C_3N_4催化剂的表征 | 第28-30页 |
| 2.3.1 催化剂的微观形貌分析(SEM) | 第28-29页 |
| 2.3.2 催化剂的成分分析(EDX) | 第29-30页 |
| 2.4 反应装置的搭载与检测体系的构建 | 第30-33页 |
| 2.4.1 二维反应器的开发 | 第30-31页 |
| 2.4.2 检测体系的构建 | 第31-32页 |
| 2.4.3 暗箱反应装置的搭建 | 第32-33页 |
| 2.5 验证装置的设计 | 第33-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-36页 |
| 第3章 M_3S/g-C_3N_4材料的光催化性能的高通量研究 | 第36-62页 |
| 3.1 高通量技术筛选的实验过程 | 第36-37页 |
| 3.2 M3S/gC_3N_4(M=Ni,Bi,Zn)材料库的高通量筛选 | 第37-43页 |
| 3.2.1 催化材料库内的气泡变化 | 第37-38页 |
| 3.2.2 催化材料库的筛选 | 第38-40页 |
| 3.2.3 筛选的催化材料的位置和成分分析 | 第40-42页 |
| 3.2.4 催化材料反应产生的气泡变化 | 第42-43页 |
| 3.3 M_3S/gC_3N_4(M=Ni,Bi,Cd)材料库的高通量筛选 | 第43-47页 |
| 3.3.1 催化材料库内的反应变化 | 第43-44页 |
| 3.3.2 催化材料库的筛选 | 第44-45页 |
| 3.3.3 筛选的催化材料的位置和成分分析 | 第45-46页 |
| 3.3.4 催化材料反应产生的气泡变化 | 第46-47页 |
| 3.4 M_3S/gC_3N_4(M=Ni,Zn,Cd)材料库的高通量筛选 | 第47-52页 |
| 3.4.1 催化材料库内的反应变化 | 第47-49页 |
| 3.4.2 催化材料库的筛选 | 第49-50页 |
| 3.4.3 筛选的催化材料的位置和成分分析 | 第50-51页 |
| 3.4.4 催化材料反应产生的气泡变化 | 第51-52页 |
| 3.5 M_3S/gC_3N_4(M=Zn,Bi,Cd)材料库的高通量筛选 | 第52-57页 |
| 3.5.1 催化材料库内的反应变化 | 第52-54页 |
| 3.5.2 催化材料库筛选 | 第54-55页 |
| 3.5.3 筛选的催化材料的位置和成分分析 | 第55-56页 |
| 3.5.4 催化材料反应产生的气泡变化 | 第56-57页 |
| 3.6 对照实验的分析 | 第57-59页 |
| 3.7 验证实验的分析 | 第59-60页 |
| 3.8 本章小结 | 第60-62页 |
| 第4章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 4.1 主要结论 | 第62-63页 |
| 4.2 建议与展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-72页 |
| 附录 | 第72-110页 |
| 致谢 | 第110-112页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第112页 |
