| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 第一节 自旋电子学简介 | 第13-14页 |
| 第二节 隧穿磁电阻效应与磁性隧道结 | 第14-18页 |
| 1.2.1 隧穿磁电阻(TMR)的理论基础 | 第14-16页 |
| 1.2.2 磁性隧道结(magnetic tunnel junction,MTJ)的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2.3 磁性隧道结的应用 | 第17-18页 |
| 第三节 钇铁氧(YIG)单晶纳米薄膜 | 第18-20页 |
| 第四节 本论文的研究内容与研究动机 | 第20-21页 |
| 第二章 样品的制备技术与表征手段 | 第21-39页 |
| 第一节 样品的制备技术 | 第21-32页 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜技术 | 第21-24页 |
| 2.1.2 深紫外光刻微加工工艺 | 第24-32页 |
| 第二节 样品的表征方法 | 第32-39页 |
| 2.2.1 铁磁共振(FMR)测量系统 | 第32-33页 |
| 2.2.2 超导量子干涉仪(SQUID) | 第33-34页 |
| 2.2.3 交变梯度磁强计(AGM) | 第34-36页 |
| 2.2.4 X射线衍射仪(XRD) | 第36-37页 |
| 2.2.5 原子力显微镜(AFM) | 第37页 |
| 2.2.6 台阶仪(细微形状测定仪) | 第37-39页 |
| 第三章 CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结的制作与TMR的观测 | 第39-57页 |
| 第一节 引言 | 第39-40页 |
| 第二节 自旋纳米微波振荡器 | 第40-43页 |
| 3.2.1 自旋转移矩(STT)效应 | 第40-41页 |
| 3.2.2 隧穿磁电阻(TMR) | 第41页 |
| 3.2.3 自旋纳米微波振荡器(STNO) | 第41-42页 |
| 3.2.4 微磁学模拟软件OOMMF | 第42-43页 |
| 第三节 CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结的制作 | 第43-52页 |
| 3.3.1 样品的生长与退火处理 | 第43-46页 |
| 3.3.2 CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结的微加工制作 | 第46-51页 |
| 3.3.3 样品电极焊接处理 | 第51-52页 |
| 第四节 磁性测量与TMR测量 | 第52-56页 |
| 3.4.1 非线性I-V | 第52-53页 |
| 3.4.2 磁性测量 | 第53-54页 |
| 3.4.3 TMR测量 | 第54-56页 |
| 第五节 结论 | 第56-57页 |
| 第四章 YIG的靶材烧结与溅射生长 | 第57-77页 |
| 第一节 引言 | 第57页 |
| 第二节 YIG靶材烧结 | 第57-61页 |
| 4.2.1 硝酸氧化烧结法 | 第57-59页 |
| 4.2.2 烧结原理 | 第59页 |
| 4.2.3 YIG靶材的表征 | 第59-61页 |
| 第三节 YIG的溅射生长 | 第61-75页 |
| 4.3.1 衬底选取 | 第61页 |
| 4.3.2 Si衬底溅射生长 | 第61-64页 |
| 4.3.3 GGG衬底溅射生长 | 第64-65页 |
| 4.3.4 溅射压强与样品厚度对饱和磁化强度的影响 | 第65-66页 |
| 4.3.5 溅射气压与样品厚度对铁磁共振线宽与共振场的影响 | 第66-69页 |
| 4.3.6 溅射气压与样品厚度对旋磁比的影响 | 第69-71页 |
| 4.3.7 溅射气压与样品厚度对吉尔伯特阻尼系数的 | 第71-73页 |
| 4.3.8 表面粗糙度测试与高分辨XRD | 第73-75页 |
| 第四节 结论 | 第75-77页 |
| 第五章 总结与展望 | 第77-80页 |
| 第一节 本论文的主要工作与取得的成果 | 第77-79页 |
| 第二节 未来工作的展望 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 参加的学术会议 | 第89-90页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第90页 |
