| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 硅薄膜太阳电池种类及其工作原理 | 第11-15页 |
| 1.2.1 硅薄膜太阳电池种类 | 第11-13页 |
| 1.2.2 黑硅光伏新技术 | 第13页 |
| 1.2.3 硅薄膜太阳电池的工作原理 | 第13-15页 |
| 1.3 硅材料表面制备技术及其特点 | 第15-19页 |
| 1.3.1 传统硅材料表面制备技术 | 第15-18页 |
| 1.3.2 金属辅助腐蚀法 | 第18-19页 |
| 1.4 太阳电池的陷光结构 | 第19-21页 |
| 1.4.1 随机陷光 | 第19-20页 |
| 1.4.2 几何陷光 | 第20-21页 |
| 1.5 太阳电池的电学性能 | 第21-23页 |
| 1.5.1 太阳电池的电流-电压特性 | 第21-22页 |
| 1.5.2 太阳电池的转换效率 | 第22页 |
| 1.5.3 太阳电池的电压 | 第22-23页 |
| 1.5.4 太阳电池的电流 | 第23页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 试验材料、工艺及研究方法 | 第25-32页 |
| 2.1 试验材料 | 第25-27页 |
| 2.2 实验设备 | 第27页 |
| 2.2.1 实验装置及流程 | 第27页 |
| 2.2.2 超声波清洗机 | 第27页 |
| 2.3 实验方法 | 第27-29页 |
| 2.3.1 单晶硅的前处理 | 第27-28页 |
| 2.3.2 单晶硅表面陷光结构的制备 | 第28-29页 |
| 2.4 测试方法 | 第29-32页 |
| 2.4.1 黑硅太阳吸收率的测定 | 第29-30页 |
| 2.4.2 黑硅表面形貌及组织结构分析 | 第30-32页 |
| 第3章 HAuCl_4体系黑硅薄膜的制备及表征 | 第32-56页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 腐蚀液体系的筛选及优化 | 第33-37页 |
| 3.2.1 氧化剂的筛选 | 第33页 |
| 3.2.2 腐蚀液配比及催化剂浓度的筛选 | 第33-35页 |
| 3.2.3 不同HF/H_2O_2配比对黑硅性能影响及研究 | 第35-37页 |
| 3.3 工艺参数对制备黑硅薄膜的影响及研究 | 第37-47页 |
| 3.3.1 超声辅助对成膜的影响及其机理研究 | 第37-40页 |
| 3.3.2 腐蚀时间对成膜的影响 | 第40-43页 |
| 3.3.3 腐蚀温度对成膜的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.4 表面损伤对成膜的影响 | 第45-47页 |
| 3.4 腐蚀反应过程中机理的研究 | 第47-51页 |
| 3.4.1 陷光机理的研究 | 第47-49页 |
| 3.4.2 腐蚀机理的研究 | 第49-51页 |
| 3.4.3 除金机理的研究 | 第51页 |
| 3.5 黑硅太阳电池的制备及其电学性能的研究 | 第51-54页 |
| 3.5.1 pn结的制备 | 第52-53页 |
| 3.5.2 电极的制备 | 第53页 |
| 3.5.3 电学性能测试 | 第53-54页 |
| 3.6 本章小结 | 第54-56页 |
| 第4章 AgNO_3体系黑硅薄膜的制备及表征 | 第56-67页 |
| 4.1 催化剂的优化 | 第56-59页 |
| 4.1.1 AgNO_3体系黑硅吸收率的研究 | 第56-57页 |
| 4.1.2 AgNO_3体系黑硅表面形貌的研究 | 第57-59页 |
| 4.2 金字塔结构的制备 | 第59-62页 |
| 4.2.1 金字塔结构吸收率的研究 | 第59-60页 |
| 4.2.2 碱腐蚀体系表面形貌的研究 | 第60-62页 |
| 4.3 多孔-金字塔结构的制备 | 第62-65页 |
| 4.3.1 多孔-金字塔结构吸收率的研究 | 第63-64页 |
| 4.3.2 多孔-金字塔结构表面形貌的研究 | 第64-65页 |
| 4.4 电学性能测试 | 第65-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |