| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 柔性衬底 | 第12-16页 |
| 1.2 残余应力 | 第16-19页 |
| 1.3 柔性光取出 | 第19-20页 |
| 1.4 干法刻蚀技术 | 第20-22页 |
| 1.5 柔性AMOLED显示屏 | 第22-25页 |
| 1.5.1 柔性AMOLED显示屏研究现状 | 第22-24页 |
| 1.5.2 本论文的研究工作 | 第24-25页 |
| 第二章 柔性PI衬底 | 第25-45页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 热处理条件对PI衬底性能的影响 | 第25-38页 |
| 2.2.1 PI的热酰亚胺化 | 第25-29页 |
| 2.2.2 实验 1 | 第29-30页 |
| 2.2.3 结果与分析 1——硬烘峰值温度对PI的影响 | 第30-32页 |
| 2.2.4 实验 2 | 第32-33页 |
| 2.2.5 结果与分析 2——软烘台阶对PI的影响 | 第33-34页 |
| 2.2.6 实验 3 | 第34页 |
| 2.2.7 结果与分析 3——气体氛围对PI的影响 | 第34-35页 |
| 2.2.8 实验 4 | 第35-36页 |
| 2.2.9 结果与分析 4——PI的红外热处理 | 第36-38页 |
| 2.3 PI衬底的解离 | 第38-43页 |
| 2.3.1 实验 | 第38-39页 |
| 2.3.2 结果与分析——不同解离层的解离特性 | 第39-42页 |
| 2.3.3 器件制备 | 第42页 |
| 2.3.4 结果与分析——基于SiNxOy:H解离层的柔性IZO TFT | 第42-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 PI衬底上超薄柔性器件的残余应力控制 | 第45-67页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 常见材料残余应力的表征 | 第45-47页 |
| 3.3 后处理工艺对薄膜残余应力的影响 | 第47-52页 |
| 3.3.1 实验 | 第48页 |
| 3.3.2 结果与分析——退火处理对SiN_x-2 残余应力的影响 | 第48-50页 |
| 3.3.3 结果与分析——紫外辐射对SiN_x-2 残余应力的影响 | 第50-52页 |
| 3.4 残余应力释放与器件的卷曲 | 第52-57页 |
| 3.5 柔性电子器件的应力管理 | 第57-65页 |
| 3.5.1 支撑层法 | 第58-60页 |
| 3.5.2 中性面调控法 | 第60-61页 |
| 3.5.3 应力补偿法 | 第61-64页 |
| 3.5.4 双层PI衬底法 | 第64-65页 |
| 3.6 本章小结 | 第65-67页 |
| 第四章 基于透明PI衬底的柔性OLED光取出技术研究 | 第67-86页 |
| 4.1 引言 | 第67-68页 |
| 4.2 制作在具有光取出结构的透明PI衬底上的柔性OLED | 第68-80页 |
| 4.2.1 器件制备 | 第68-69页 |
| 4.2.2 结果与分析——衬底形貌与光学特性 | 第69-72页 |
| 4.2.3 结果与分析——透明PI衬底上的光学阵列对柔性OLED电致发光特性的影响 | 第72-78页 |
| 4.2.4 结果与分析——具有三维光学结构的大面积柔性OLED的抗弯折特性分析 | 第78-80页 |
| 4.3 其他基于透明PI衬底的柔性OLED光取出技术研究 | 第80-84页 |
| 4.3.1 SiO_2散射媒介在无色聚酰胺酸中的分散及运用 | 第80-82页 |
| 4.3.2 制作于喷砂载体玻璃上的PI衬底及其运用 | 第82-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84-86页 |
| 第五章 基于电感耦合等离子干法刻蚀技术的高性能BCE结构氧化物TFT的研究 | 第86-112页 |
| 5.1 引言 | 第86-87页 |
| 5.2 ICP刻蚀金属Mo的工艺参数优化 | 第87-92页 |
| 5.2.1 天线电极/偏置电极功率对金属Mo干法刻蚀的影响 | 第87-88页 |
| 5.2.2 工艺气体流量及工艺压力对金属Mo干法刻蚀的影响 | 第88-90页 |
| 5.2.3 光刻胶对金属Mo干法刻蚀的影响 | 第90-91页 |
| 5.2.4 硬掩膜对金属Mo干法刻蚀的影响 | 第91-92页 |
| 5.3 基于干法刻蚀工艺制作的BCE结构NAIZO TFT | 第92-97页 |
| 5.3.1 器件制备 | 第92-93页 |
| 5.3.2 结果与分析——SF6等离子体对NAIZO TFT的影响 | 第93-96页 |
| 5.3.3 结果与分析——PV沉积条件对NAIZO TFT的影响 | 第96-97页 |
| 5.4 高迁移率背沟道干法刻蚀型氧化物TFT | 第97-105页 |
| 5.4.1 器件制备 | 第98页 |
| 5.4.2 结果与分析——不同有源层结构对TFT性能的影响 | 第98-100页 |
| 5.4.3 结果与分析——背沟道有源层材料及厚度对TFT性能的影响 | 第100-105页 |
| 5.5 柔性AMOLED显示屏的制作 | 第105-110页 |
| 5.5.1 制作于聚酰亚胺衬底上的TFT的抗弯折测试与失效分析 | 第105-106页 |
| 5.5.2 柔性TFT在GIP电路中的应用 | 第106-108页 |
| 5.5.3 柔性AMOLED显示屏的制作及显示效果 | 第108-110页 |
| 5.6 本章小结 | 第110-112页 |
| 结论 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-122页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第122-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
| 附件 | 第126页 |
