摘要 | 第6-8页 |
Summary | 第8-9页 |
第一章 绪论 | 第10-18页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 国内外泡沫陶瓷的研究现状 | 第10-12页 |
1.3 SiC泡沫陶瓷的制备方法 | 第12-13页 |
1.3.1 有机泡沫浸渍工艺 | 第12-13页 |
1.3.2 发泡法 | 第13页 |
1.3.3 溶胶-凝胶法 | 第13页 |
1.4 SiC泡沫陶瓷的用途 | 第13-16页 |
1.4.1 催化剂载体 | 第14页 |
1.4.2 过滤器 | 第14-15页 |
1.4.3 生物材料 | 第15页 |
1.4.4 吸声材料 | 第15-16页 |
1.4.5 其它应用 | 第16页 |
1.5 本课题研究的目的及意义 | 第16-17页 |
1.6 本论文研究的主要内容 | 第17-18页 |
第二章 实验方法及分析测试 | 第18-31页 |
2.1 实验原料及仪器 | 第18-19页 |
2.2 泡沫陶瓷的制备 | 第19-27页 |
2.2.1 有机泡沫模板的选择 | 第19页 |
2.2.2 有机泡沫模板的预处理 | 第19-21页 |
2.2.3 陶瓷浆料的配置 | 第21页 |
2.2.4 挤压比的确定 | 第21-23页 |
2.2.5 泡沫陶瓷预制体的制备 | 第23-24页 |
2.2.6 泡沫陶瓷预制体的干燥 | 第24-25页 |
2.2.7 泡沫陶瓷无压烧结工艺参数的确定 | 第25-27页 |
2.3 泡沫陶瓷的分析和测试方法 | 第27-30页 |
2.3.1 原料的热重分析 | 第27页 |
2.3.2 泡沫陶瓷样品的相组成分析(XRD) | 第27页 |
2.3.3 泡沫陶瓷样品的显微结构分析(SEM) | 第27-28页 |
2.3.4 泡沫陶瓷样品的线收缩率和体积密度测试 | 第28页 |
2.3.5 泡沫陶瓷样品的气孔率测试 | 第28-29页 |
2.3.6 泡沫陶瓷样品的抗折强度测试 | 第29-30页 |
2.4 本章小结 | 第30-31页 |
第三章 磷酸二氢铝的热解转化机理研究 | 第31-34页 |
3.1 磷酸二氢铝分解产物的晶型结构 | 第31-32页 |
3.2 磷酸二氢铝的热分解特性 | 第32页 |
3.3 本章小结 | 第32-34页 |
第四章 磷酸盐低温烧成SiC泡沫陶瓷及性能 | 第34-45页 |
4.1 成分设计 | 第34-35页 |
4.2 800℃烧成SiC泡沫陶瓷的显微组织与性能 | 第35-39页 |
4.2.1 烧成陶瓷的晶型结构分析 | 第35-36页 |
4.2.2 烧成陶瓷的显微组织观察 | 第36-37页 |
4.2.3 烧成陶瓷的线收缩率分析 | 第37-38页 |
4.2.4 烧成陶瓷的体积密度分析 | 第38页 |
4.2.5 烧成陶瓷的力学性能分析 | 第38-39页 |
4.3 950℃烧成SiC泡沫陶瓷的显微组织与性能 | 第39-44页 |
4.3.1 烧成陶瓷的晶型结构分析 | 第39-40页 |
4.3.2 烧成陶瓷的显微组织观察 | 第40-41页 |
4.3.3 烧成陶瓷的线收缩率分析 | 第41-42页 |
4.3.4 烧成陶瓷的体积密度分析 | 第42页 |
4.3.5 烧成陶瓷的气孔率分析 | 第42-43页 |
4.3.6 烧成陶瓷的力学性能分析 | 第43-44页 |
4.4 本章小结 | 第44-45页 |
第五章 热处理温度对低温制备SiC泡沫陶瓷性能的影响 | 第45-60页 |
5.1 成分及热处理温度设计 | 第45页 |
5.2 热处理温度对磷酸盐粘结剂制备SiC泡沫陶瓷性能的影响 | 第45-50页 |
5.2.1 热处理后产物的显微组织观察 | 第45-47页 |
5.2.2 热处理后产物的晶型结构分析 | 第47页 |
5.2.3 热处理后产物的线收缩率分析 | 第47-48页 |
5.2.4 热处理后产物的体积密度分析 | 第48-49页 |
5.2.5 热处理后产物的气孔率分析 | 第49页 |
5.2.6 热处理后产物的力学性能分析 | 第49-50页 |
5.3 热处理温度对复合粘结剂低温制备出的SiC泡沫陶瓷性能的影响 | 第50-59页 |
5.3.1 热处理后产物的晶型结构分析 | 第51-52页 |
5.3.2 热处理后产物的显微组织观察 | 第52-55页 |
5.3.3 热处理后产物的线收缩率分析 | 第55-56页 |
5.3.4 热处理后产物的体积密度分析 | 第56-57页 |
5.3.5 热处理后产物的气孔率分析 | 第57-58页 |
5.3.6 热处理后产物的力学性能分析 | 第58-59页 |
5.4 本章小结 | 第59-60页 |
第六章 结论 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
附录 | 第67-68页 |