Ti-Si-N纳米结构形成的KMC模拟仿真
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 Ti-Si-N 薄膜中主要分子结构及特性 | 第10-14页 |
| 1.1.1 Ti-N 晶体结构和性能 | 第10-11页 |
| 1.1.2 Si_3N_4晶体结构和性能 | 第11-12页 |
| 1.1.3 Ti-Si-N 薄膜的结构和特性 | 第12-14页 |
| 1.2 课题研究背景 | 第14-15页 |
| 1.3 Ti-Si-N 薄膜存在的问题 | 第15-16页 |
| 1.4 采用动力学蒙特卡罗研究的背景 | 第16-17页 |
| 1.5 课题研究的目的及意义 | 第17-20页 |
| 1.5.1 选题目的 | 第17页 |
| 1.5.2 选题的意义 | 第17-18页 |
| 1.5.3 研究内容 | 第18-20页 |
| 2 薄膜生长理论 | 第20-25页 |
| 2.1 外延生长基本概念 | 第20-21页 |
| 2.3 表面动力学 | 第21-22页 |
| 2.4 薄膜的生长模型 | 第22-24页 |
| 2.4.1 薄膜的生长模型 | 第22-23页 |
| 2.4.2 生长模式之间的转变 | 第23-24页 |
| 2.5 过渡态理论 | 第24-25页 |
| 3 计算机模拟 | 第25-32页 |
| 3.1 第一原理计算 | 第25页 |
| 3.2 分子动力学方法（MD） | 第25-26页 |
| 3.3 蒙特卡罗方法 | 第26-27页 |
| 3.4 动力学蒙特卡洛（KMC） | 第27-29页 |
| 3.5 阿仑尼乌斯公式 | 第29-30页 |
| 3.6 周期性边界条件和马可夫链 | 第30-32页 |
| 4 KMC 模拟仿真势能选择 | 第32-38页 |
| 4.1 第一原理计算势能库 | 第32-33页 |
| 4.2 组合式激活能赋值法 | 第33-35页 |
| 4.3 Ti 和 N 位置设定 | 第35页 |
| 4.4 计算机仿真的实现 | 第35-38页 |
| 5 岛形貌仿真结果 | 第38-45页 |
| 5.1 单岛下落形貌模型及随机下落设定 | 第38页 |
| 5.2 单岛下落形貌结果分析 | 第38-42页 |
| 5.3 岛形貌改变分析 | 第42-45页 |
| 6 双岛下落沉积仿真 | 第45-50页 |
| 6.1 双岛下落沉积仿真模型及随机下落设定 | 第45页 |
| 6.2 在沉积温度对岛合并的影响 | 第45-47页 |
| 6.3 Si 含量的不同对岛相遇的影响 | 第47-50页 |
| 7 沉积率和自由下落模拟 | 第50-56页 |
| 7.1 沉积率模拟 | 第50-52页 |
| 7.2 自由下落形貌模拟 | 第52-56页 |
| 8 结论和展望 | 第56-59页 |
| 8.1 沉积温度的影响 | 第56页 |
| 8.2 沉积速率的影响 | 第56-57页 |
| 8.3 Si 含量的影响 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
