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分子高次谐波特性的理论研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第1章 绪论第11-23页
    1.1 强场电离机制第11-14页
    1.2 高次谐波产生第14-18页
        1.2.1 高次谐波产生介绍第14-16页
        1.2.2 高次谐波产生机制第16-18页
        1.2.3 高次谐波产生研究意义第18页
    1.3 分子高次谐波产生第18-22页
        1.3.1 干涉效应第19-20页
        1.3.2 分子高次谐波的应用第20-22页
    1.4 本论文的主要工作第22-23页
第2章 计算方法第23-32页
    2.1 含时薛定谔方程第23-25页
    2.2 强场近似模型第25-29页
    2.3 半经典的三步模型第29-31页
    2.4 小结第31-32页
第3章 分子高次谐波的双中心干涉现象的研究第32-51页
    3.1 计算方法第32-33页
    3.2 分子的高次谐波发射谱第33-50页
        3.2.1 传统双中心干涉模型预测的分子谐波最小值位置第34-38页
        3.2.2 双中心干涉现象的理论推导第38-42页
        3.2.3 修正初始相位差的双中心干涉模型第42-50页
    3.3 小结第50-51页
第4章 利用高次谐波实现线型分子轨道的重构第51-68页
    4.1 分子高次谐波和动量空间分子轨道电子密度的对应关系第51-58页
    4.2 利用分子高次谐波实现分子轨道成像第58-67页
    4.3 小结第67-68页
第5章 结论与展望第68-70页
    5.1 本论文的主要结论第68页
    5.2 展望第68-70页
参考文献第70-77页
攻读硕士学位期间发表的论文第77-78页
致谢第78-79页

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