摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 前言 | 第9-23页 |
1.1 SO_2的危害 | 第9-10页 |
1.2 烟气脱硫技术 | 第10-13页 |
1.2.1 湿法烟气脱硫 | 第11页 |
1.2.2 半干法烟气脱硫 | 第11-12页 |
1.2.3 干法脱硫 | 第12-13页 |
1.2.4 新型脱硫技术 | 第13页 |
1.3 膜接触器 | 第13-15页 |
1.3.1 膜接触器基本原理 | 第13-14页 |
1.3.2 膜接触器气体吸附机理 | 第14-15页 |
1.4 石墨烯/氧化石墨烯的概述 | 第15-20页 |
1.4.1 石墨烯的物理性质 | 第15-16页 |
1.4.1.1 电学性质 | 第15-16页 |
1.4.1.2 力学性质 | 第16页 |
1.4.1.3 光学性质 | 第16页 |
1.4.2 石墨烯的制备方法 | 第16-18页 |
1.4.2.1 微机械剥离法 | 第16-17页 |
1.4.2.2 热分解SiC法 | 第17页 |
1.4.2.3 化学气相沉积法 | 第17页 |
1.4.2.4 氧化还原法 | 第17-18页 |
1.4.2.5 其他制备方法 | 第18页 |
1.4.3 石墨烯的重要衍生物——氧化石墨烯 | 第18-19页 |
1.4.4 氧化石墨烯的功能化修饰 | 第19-20页 |
1.5 本课题研究的目的和意义 | 第20-23页 |
第二章 醇胺改性氧化石墨烯的制备、表征及SO_2吸附性能 | 第23-35页 |
2.1 前言 | 第23-24页 |
2.2 实验部分 | 第24-27页 |
2.2.1 实验原料及仪器 | 第24-25页 |
2.2.2 氧化石墨烯的制备 | 第25页 |
2.2.3 醇胺改性氧化石墨烯的制备 | 第25-26页 |
2.2.4 SO_2吸附性能测试 | 第26页 |
2.2.5 醇胺改性氧化石墨烯的表征 | 第26-27页 |
2.2.5.1 扫描电子显微镜和X射线能谱表征 | 第26页 |
2.2.5.2 红外表征 | 第26-27页 |
2.2.5.3 热重分析 | 第27页 |
2.3 结果和讨论 | 第27-33页 |
2.3.1 醇胺改性氧化石墨烯的表征 | 第27-29页 |
2.3.1.1 微观形貌分析 | 第27-28页 |
2.3.1.2 红外和X射线光电子能谱分析 | 第28页 |
2.3.1.3 X射线能谱分析 | 第28-29页 |
2.3.2 醇胺改性氧化石墨烯的SO_2吸附性能及其稳定性 | 第29-32页 |
2.3.2.1 醇胺改性氧化石墨烯的SO_2吸附性能 | 第29-31页 |
2.3.2.2 吸附后样品的X射线能谱表征 | 第31页 |
2.3.2.3 样品的热稳定性表征 | 第31-32页 |
2.3.3 吸附剂的稳定性 | 第32-33页 |
2.4 本章小结 | 第33-35页 |
第三章 醇胺改性氧化石墨烯/PVDF共混膜的脱硫性能研究 | 第35-49页 |
3.1 前言 | 第35-36页 |
3.2 实验方法及内容 | 第36-39页 |
3.2.1 实验试剂与仪器 | 第36-37页 |
3.2.2 共混膜的制备 | 第37页 |
3.2.3 共混膜结构与脱硫性能的表征 | 第37-38页 |
3.2.3.1 场发射扫描电镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)表征 | 第37页 |
3.2.3.2 膜的SO_2静态吸附性能测试 | 第37页 |
3.2.3.2 膜气体渗透性能表征 | 第37-38页 |
3.2.3.3 膜润湿性能测试 | 第38页 |
3.2.4 共混膜接触器脱硫性能评价 | 第38-39页 |
3.3 结果与讨论 | 第39-41页 |
3.3.1 膜形貌表征 | 第39-40页 |
3.3.2 膜的XPS表征 | 第40页 |
3.3.3 膜的静态吸附能力 | 第40-41页 |
3.4 共混膜接触器脱硫性能的研究 | 第41-46页 |
3.4.1 膜透气性能表征 | 第41-42页 |
3.4.2 膜的浸润性表征 | 第42页 |
3.4.3 共混膜的脱硫性能 | 第42-43页 |
3.4.4 共混量对GO-DEA/PVDF膜的脱硫性能的影响 | 第43-46页 |
3.4.4.1 GO-DEA共混量对膜气体渗透性能和机械性能的影响 | 第43-44页 |
3.4.4.2 GO-DEA共混量对膜结构的影响 | 第44-45页 |
3.4.4.3 GO-DEA共混量对膜表面浸润性的影响 | 第45-46页 |
3.4.4.4 GO-DEA共混量对膜脱硫性能的影响 | 第46页 |
3.5 本章小结 | 第46-49页 |
第四章 全文总结 | 第49-51页 |
参考文献 | 第51-55页 |
致谢 | 第55页 |