| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-39页 |
| 1.1 取向硅钢的生产及研究现状 | 第13-20页 |
| 1.1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.1.2 取向硅钢的发展概况 | 第14-17页 |
| 1.1.3 取向硅钢磁性能的研究现状 | 第17-20页 |
| 1.2 取向硅钢的磁畴细化原理 | 第20-32页 |
| 1.2.1 磁畴及磁畴壁的形成 | 第21-22页 |
| 1.2.2 分畴理论 | 第22-24页 |
| 1.2.3 磁畴壁的迁移与磁矩转动 | 第24-25页 |
| 1.2.4 技术磁化过程对磁畴的影响 | 第25-27页 |
| 1.2.5 磁畴细化的模型 | 第27-32页 |
| 1.3 刻痕技术的发展及应用 | 第32-36页 |
| 1.3.1 刻痕技术 | 第32-34页 |
| 1.3.2 刻痕技术的发展 | 第34-36页 |
| 1.4 研究背景、意义及研究内容 | 第36-39页 |
| 1.4.1 研究背景及意义 | 第36-38页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第38-39页 |
| 第2章 球刻痕装置和磁性能测量系统 | 第39-51页 |
| 2.1 引言 | 第39页 |
| 2.2 实验材料 | 第39-41页 |
| 2.3 球刻痕装置 | 第41-43页 |
| 2.4 Epstein试样测量系统 | 第43-46页 |
| 2.4.1 Epstein试样测量系统的优点 | 第43-44页 |
| 2.4.2 Epstein测量系统检测磁感应强度与磁场强度原理 | 第44-45页 |
| 2.4.3 双轭铁单片测量装置 | 第45-46页 |
| 2.5 巴克豪森噪声测试系统 | 第46-49页 |
| 2.5.1 巴克豪森噪声测试原理 | 第46-48页 |
| 2.5.2 巴克豪森噪声信号的检测装置 | 第48-49页 |
| 2.6 Epstein试样应力装置 | 第49-50页 |
| 2.7 本章小结 | 第50-51页 |
| 第3章 多方向磁性及磁滞回线模型研究 | 第51-73页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 取向硅钢多方向磁性能研究 | 第52-59页 |
| 3.2.1 实验材料与方法 | 第52-53页 |
| 3.2.2 BC1取向硅钢多方向磁性模型研究 | 第53-55页 |
| 3.2.3 BH1取向硅钢多方向磁性模型研究 | 第55-58页 |
| 3.2.4 模型的应用步骤 | 第58-59页 |
| 3.3 难磁化角的确定及其与磁导率的关系 | 第59-64页 |
| 3.3.1 BC1取向硅钢难磁化角的确定及其与磁导率的关系 | 第59-62页 |
| 3.3.2 BH1取向硅钢难磁化角的确定及其与磁导率的关系 | 第62-64页 |
| 3.4 磁滞回线模型 | 第64-72页 |
| 3.4.1 以磁场强度确定磁感应强度的磁滞模型 | 第64-68页 |
| 3.4.2 以磁感应强度确定磁场强度的磁滞模型 | 第68-72页 |
| 3.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第4章 球刻痕对取向硅钢铁损的影响 | 第73-87页 |
| 4.1 引言 | 第73-74页 |
| 4.2 球刻痕对取向硅钢铁损的影响 | 第74-76页 |
| 4.2.1 球刻痕对CC1取向硅钢铁损的影响 | 第74-75页 |
| 4.2.2 球刻痕对CH1取向硅钢铁损的影响 | 第75-76页 |
| 4.3 球刻痕降低取向硅钢铁损的原理 | 第76-78页 |
| 4.3.1 磁畴及能量角度 | 第76-77页 |
| 4.3.2 磁畴宽度与反常涡流流损耗关系模型 | 第77-78页 |
| 4.4 刻痕间距计算与分析 | 第78-81页 |
| 4.5 球刻痕对取向硅钢铁损分离的影响 | 第81-85页 |
| 4.5.1 球刻痕对CC1取向硅钢铁损分离的影响 | 第81-84页 |
| 4.5.2 球刻痕对CH1取向硅钢铁损分离的影响 | 第84-85页 |
| 4.6 本章小结 | 第85-87页 |
| 第5章 球刻痕对取向硅钢磁导率的影响 | 第87-102页 |
| 5.1 引言 | 第87-88页 |
| 5.2 球刻痕对CC1取向硅钢磁导率的影响 | 第88页 |
| 5.3 球刻痕对CH1取向硅钢磁导率的影响 | 第88-90页 |
| 5.4 球刻痕对取向硅钢磁屏蔽效能的影响 | 第90-99页 |
| 5.4.1 磁屏蔽基本原理 | 第91-95页 |
| 5.4.2 刻痕前后整体磁屏蔽变化 | 第95-96页 |
| 5.4.3 磁屏蔽效能的分离 | 第96-98页 |
| 5.4.4 等值厚度减薄计算 | 第98-99页 |
| 5.5 球刻痕对取向硅钢矫顽力及趋肤深度的影响 | 第99-101页 |
| 5.5.1 球刻痕对取向硅钢矫顽力的影响 | 第99-100页 |
| 5.5.2 球刻痕对取向硅钢趋肤深度的影响 | 第100-101页 |
| 5.6 本章小结 | 第101-102页 |
| 第6章 球刻痕对巴克豪森噪声的影响 | 第102-121页 |
| 6.1 引言 | 第102-104页 |
| 6.2 巴克豪森噪声图谱及统计原理 | 第104-106页 |
| 6.3 球刻痕对CC1取向硅钢巴克豪森噪声的影响 | 第106-107页 |
| 6.4 球刻痕对CH1取向硅钢巴克豪森噪声的影响 | 第107-108页 |
| 6.5 巴克豪森噪声与铁损的关系研究 | 第108-111页 |
| 6.5.1 CC1取向硅钢巴克豪森噪声与铁损的线性关系 | 第108-109页 |
| 6.5.2 CH1取向硅钢巴克豪森噪声与铁损的线性关系 | 第109-111页 |
| 6.6 一种Fe-3%Si取向硅钢铁损值的软测量方法 | 第111-113页 |
| 6.7 涂层应力及外加应力对取向硅钢巴克豪森噪声的影响 | 第113-120页 |
| 6.7.1 表面涂层应力对取向硅钢巴克豪森噪声的影响 | 第113-117页 |
| 6.7.2 拉应力对巴克豪森噪声的影响 | 第117-118页 |
| 6.7.3 取向硅钢磁畴壁移动距离的计算 | 第118-120页 |
| 6.8 本章小结 | 第120-121页 |
| 第7章 结论 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-133页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及发明专利 | 第133-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
| 作者简介 | 第136页 |
