拓扑绝缘体Bi2Se3中层堆垛效应的第一性原理研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 量子霍尔效应 | 第8-11页 |
| 1.3 拓扑绝缘体概况 | 第11-16页 |
| 1.3.1 二维拓扑绝缘体简介 | 第11-14页 |
| 1.3.2 三维拓扑绝缘体与表面态简介 | 第14-16页 |
| 1.4 拓扑绝缘体中的 Rashba 效应 | 第16-17页 |
| 1.5 选题意义以及研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 基础理论和计算方法概述 | 第18-23页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第18-21页 |
| 2.1.1 多体问题 | 第18-19页 |
| 2.1.2 绝热近似和单电子近似 | 第19页 |
| 2.1.3 密度泛函理论 | 第19页 |
| 2.1.4 Kohn-Sham 方程 | 第19-20页 |
| 2.1.5 交换关联泛函 | 第20-21页 |
| 2.2 赝势方法 | 第21页 |
| 2.3 VASP 程序包简介 | 第21-23页 |
| 第3章 Bi_2Se_3块体中的堆垛效应 | 第23-30页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 计算方法与模型 | 第23-27页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第27-29页 |
| 3.4 结论 | 第29-30页 |
| 第4章 Bi_2Se_3薄膜中的堆垛效应 | 第30-37页 |
| 4.1 引言 | 第30-31页 |
| 4.2 计算方法与模型 | 第31-32页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第32-35页 |
| 4.4 结论 | 第35-37页 |
| 第5章 总结与展望 | 第37-38页 |
| 5.1 总结 | 第37页 |
| 5.2 展望 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 攻读硕士期间论文发表及科研情况 | 第45页 |
