| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第11-14页 |
| 1.2 磁存储与磁晶各向异性研究简介 | 第14-18页 |
| 1.2.1 磁存储简介 | 第14-16页 |
| 1.2.2 磁晶各向异性研究简介 | 第16-18页 |
| 1.3 稀磁半导体 | 第18-22页 |
| 1.3.1 稀磁半导体的早期研究 | 第18-20页 |
| 1.3.2 氧化物稀磁半导体 | 第20-21页 |
| 1.3.3 d~0铁磁性 | 第21-22页 |
| 1.4 二维材料科学的进展 | 第22-25页 |
| 1.5 二维材料磁性的研究 | 第25-28页 |
| 1.6 本文研究内容 | 第28-31页 |
| 第2章 基本理论与能带计算方法 | 第31-45页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 Born-Oppenheimer近似和Hartree-Fork近似 | 第31-35页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第35-40页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第35-37页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第37-39页 |
| 2.3.3 局域密度近似（LDA）和广义梯度近似（GGA） | 第39-40页 |
| 2.4 能带的计算方法 | 第40-44页 |
| 2.4.1 平面波方法 | 第40-41页 |
| 2.4.2 正交化平面波和赝势方法 | 第41-43页 |
| 2.4.3 缀加平面波方法 | 第43-44页 |
| 2.5 VASP软件简介 | 第44-45页 |
| 第3章 3d、4d过渡金属和碱土金属元素掺杂单层CrS_2的磁性研究 | 第45-59页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 模型构建和计算方法 | 第45-47页 |
| 3.3 单层CrS_2和含Cr空位缺陷的单层CrS_2的计算结果与分析 | 第47-48页 |
| 3.4 过渡金属和碱土金属元素掺杂单层CrS_2的计算结果与分析 | 第48-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第4章 Be_2C纳米带的稳定性、电子结构和磁学性质的研究 | 第59-73页 |
| 4.1 引言 | 第59页 |
| 4.2 模型构建和计算方法 | 第59-61页 |
| 4.3 单层Be_2C的计算结果与分析 | 第61-62页 |
| 4.4 Be_2C纳米带的计算结果与分析 | 第62-72页 |
| 4.4.1 Be_2C纳米带的几何结构与稳定性 | 第62-66页 |
| 4.4.2 Be_2C纳米带的电子结构与磁学性质 | 第66-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第5章 单层TaTe_2磁晶各向异性的研究 | 第73-81页 |
| 5.1 引言 | 第73页 |
| 5.2 模型构建和计算方法 | 第73-74页 |
| 5.3 单层TaTe_2的计算结果与分析 | 第74-75页 |
| 5.4 单层TaTe_2在应变状态下的计算结果与分析 | 第75-79页 |
| 5.5 本章小结 | 第79-81页 |
| 结论与展望 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-101页 |
| 在学期间所取得的学术成果 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103页 |
